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J-GLOBAL ID：201202250098697989   整理番号：12A1756859

窒素雰囲気中の堆積後焼なましによるNbドープTiO₂透明導電膜の作製

Fabrication of Nb-Doped TiO₂ Transparent Conducting Films by Postdeposition Annealing under Nitrogen Atmosphere

著者 (12件)： OKAZAKI Sohei (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  OKAZAKI Sohei (JST-CREST, Kawasaki, JPN) ,  OHKUBO Junpei (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  NAKAO Shoichiro (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  NAKAO Shoichiro (JST-CREST, Kawasaki, JPN) ,  HIROSE Yasushi (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  HIROSE Yasushi (JST-CREST, Kawasaki, JPN) ,  HIROSE Yasushi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HITOSUGI Taro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HASEGAWA Tetsuya (Kanagawa Acad. Sci. and Technol. (KAST), Kawasaki, JPN) ,  HASEGAWA Tetsuya (JST-CREST, Kawasaki, JPN) ,  HASEGAWA Tetsuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 11,Issue 1  ページ： 118003.1-118003.2  発行年： 2012年11月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素雰囲気中の非晶質前駆体の結晶化を通して,高導電性多結晶アナターゼ型NbドープTiO₂(TNO)薄膜を作製できることを報告する。ガラス基板上の最適TNO膜は8.4×10^-4Ωcmの低い電気抵抗率と6%の吸収率を波長460nmで示した。これらの輸送特性と光学的性質は真空焼なましで作製したTNO膜のものに匹敵する。これはGaN系発光ダイオード用の電極としてのTNOの潜在性を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 焼なまし ,  ドーピング ,  ニオブ ,  *酸化チタン ,  *透明導電膜 ,  結晶化 ,  発光ダイオード ,  *電気抵抗率 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： *二酸化チタン ,  光吸収率

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (15件)：

• 1) S. Pimputkar et al.: Nat. Photonics 3 (2009) 180.
• 2) Y. Furubayashi et al.: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 252101.
• 3) T. Hitosugi et al.: Phys. Status Solidi A 207 (2010) 1529.
• 4) J. Kasai et al.: J. Appl. Phys. 107 (2010) 053110.
• 5) K. Hazu et al.: Appl. Phys. Express 3 (2010) 091102.

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒素雰囲気 ,  堆積 ,  焼なまし ,  Nb ,  ドープ ,  TiO2 ,  透明導電膜 ,  作製