文献

J-GLOBAL ID：201202250610969635   整理番号：12A0057611

酸素アニーリングプロセスを用いた高k/金属ゲートMOSFETにおける有効移動度改善のためのLa-ケイ酸ゲート誘電体における酸素欠陥の補償

Compensation of oxygen defects in La-silicate gate dielectrics for improving effective mobility in high-k/metal gate MOSFET using oxygen annealing process

著者 (11件)： KAWANAGO T. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  SUZUKI T. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  LEE Y. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  KAKUSHIMA K. (Interdisciplinary Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  AHMET P. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  TSUTSUI K. (Interdisciplinary Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  NISHIYAMA A. (Interdisciplinary Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  SUGII N. (Interdisciplinary Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  NATORI K. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  HATTORI T. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN) ,  IWAI H. (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 68  ページ： 68-72  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素欠陥の補償のための酸素導入をSi基板と間接的に接触したLa-ケイ酸誘電体にて調査した。酸素量は,酸素雰囲気中のアニーリング(酸素アニーリング)温度とゲート電極の厚さにより制御した。酸素導入によるフラットバンド電圧(V_FB)の正シフトは,La-ケイ酸ゲート誘電体における欠陥補償の実験的証拠である。最適酸素アニーリングは,等価酸化物厚さ(EOT)を増加すること無しにV_FBシフトを正方向に向けた。酸素アニーリングは,La-ケイ酸/Siインタフェイスにおける界面特性を劣化させるが,連続形成ガスアニーリング(FGA)は,界面特性を回復した。La-ケイ酸ゲート誘電体の正V_FBシフトは,連続FGA後でも安定であることを明らかにした。La-ケイ酸に供給された酸素は,低減プロセス後でも維持されることが期待された。酸素導入により生じたSi価電子バンドエッジ方向へのFermiレベル移動は,XPSにより十分に観察された。さらに,酸素アニーリングによるLa-ケイ酸とSi基板間の化学反応は見られないことがTEM観察およびX線光電子スペクトルにより確認された。有効正孔移動度が,酸素アニーリングとFGAの組合せにより,EOTの増加無しに改善可能であることを実験的に実証した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 焼なまし ,  *MOSFET ,  *移動度 ,  酸化膜 ,  *点欠陥 ,  ランタン ,  ケイ素 ,  ケイ酸 ,  誘電体 ,  キャリア移動度 ,  膜厚 ,  酸素 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： EOT ,  La ,  アニーリング ,  ゲート誘電体 ,  界面特性 ,  *酸素欠陥 ,  正孔移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： 酸素 ,  アニーリング ,  プロセス ,  金属ゲート ,  MOSFET ,  移動度 ,  La ,  ケイ酸 ,  ゲート誘電体 ,  酸素欠陥 ,  補償