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J-GLOBAL ID：201202252032625530   整理番号：12A0924300

低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価

Characterization of recombination centers in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation

著者 (5件)： 吉原一輝 (名古屋工大 大学院) ,  加藤正史 (名古屋工大 大学院) ,  市村正也 (名古屋工大 大学院) ,  畑山智亮 (奈良先端科学技術大学院大) ,  大島武 (日本原子力開発機構)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 34(SDM2012 19-42)  ページ： 67-72  発行年： 2012年05月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCは大電力,低損失デバイス材料として期待されているが,デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至っていない。よって結晶欠陥の評価が必要である。過去にp型4H-SiCへの深い準位の評価は数例報告されているものの,再結合中心として振る舞う深い準位についての報告はほとんどされていない。本研究では電子線照射により意図的に欠陥を導入したp型4H-SiC(0001)Si面エピタキシャル試料を用いてCurrent Deep-level Transient Spectroscopyにより価電子帯付近の深い準位の評価を行った。その結果,電子線照射によって炭素空孔や格子間原子による複合欠陥が形成され,再結合中心として振る舞う可能性があることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *再結合中心 ,  電子照射 ,  深い準位 ,  *空孔欠陥
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  電子線照射

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低エネルギー ,  電子線照射 ,  4H-SiC ,  再結合中心 ,  評価