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J-GLOBAL ID：201202255872157919   整理番号：12A1407343

Geアドレイヤ(ADLAYER)による非晶質SiのAL誘起結晶化における結晶化時間の劇的低減

DRASTIC REDUCTION OF CRYSTALLIZATION TIME DURING AL-INDUCED CRYSTALLIZAION OF AMORPHOUS SI BY GE ADLAYER

著者 (5件)： USAMI Noritaka (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  USAMI Noritaka (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  JUNG Mina (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEMASU Takashi (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SUEMASU Takashi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 37th Vol.5  ページ： 3464-3466  発行年： 2011年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質Si(a-Si)/Al界面におけるGeアドレイヤがa-SiのAl誘起結晶化プロセスに与える影響をその場モニタリングで調べ,数nm圧のGeの挿入で結晶化時間が劇的に短縮することを明らかにした。成長した多結晶膜の微細構造はGeアドレイヤの厚さに強く依存する。Ge厚が1nmの場合平均粒径はコントロールサンプル(Ge無し)の約2倍であるが,Geが更に増すと核形成率の増加で粒径は減少する。従って,微細構造を制御しつつ結晶化時間を最小化するには結晶化温度にたいしてGeの最適厚さが存在すると考えられる。

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  *アモルファスシリコン ,  *結晶化 ,  粒径 ,  微細構造 ,  核形成
準シソーラス用語： *金属誘起結晶化

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  非晶質Si ,  Al ,  誘起 ,  結晶化