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J-GLOBAL ID：201202263288750597   整理番号：12A1442147

超音波噴霧法による酸化物半導体薄膜の作製と太陽電池への応用

Thin Film Fabrication of Oxide Semiconductor by Ultrasonic Spray-Assisted Mist CVD Method toward Thin Film Solar Cells

著者 (4件)： 池之上卓己 (滋賀県大) ,  藤田静雄 (京大) ,  坂本眞一 (滋賀県大) ,  乾義尚 (滋賀県大)
資料名： 電気学会新エネルギー・環境研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： FTE-12  号： 32-37  ページ： 13-18  発行年： 2012年09月06日 
JST資料番号： Z0969A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,超音波噴霧法によって,透明導電性の酸化亜鉛およびITOを作製した。いずれの薄膜も高い可視光透過性と電気伝導性を有し,平坦性と含めてデバイス応用が有望な性能を示した。また,同一の手法によって,有機材料であるPEDOT:PSSおよびP3HT:PCBMの成膜を実現し,単一プロセスのみで有機薄膜太陽電池を作製できる可能性を示した。超音波噴霧法により作製した層を有するデバイスは,従来のスピンコート法と比べ,短絡電流密度が大きく向上した。

シソーラス用語： *噴霧 ,  *薄膜成長 ,  化合物半導体 ,  *透明導電膜 ,  酸化亜鉛 ,  酸化インジウムスズ ,  *有機材料 ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  ポリマブレンド ,  ポリヘキシルチオフェン ,  フラーレン ,  太陽電池 ,  電流密度
準シソーラス用語： PCBM ,  PEDOT:PSS ,  酸化物半導体 ,  短絡電流密度 ,  *超音波噴霧 ,  *有機薄膜

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (6件)：

• (1) C. V. R. Vasant Kumar and Abhai Mansingh: "Effect of target-substrate distance on the growth and properties of rf-sputtered indium tin oxide films", Journal of Applied Physics, Vol.65, pp.1270-1280 (1989).
• (2) M. Mizuhasi: "Electrical properties of vacuum-deposited indium oxide and indium tin oxide films", Thin Solid Films, Vol.70, pp.91-100 (1980).
• (3) T. Kawaharamura, H. Nishinaka, K. Kametani, Y. Masuda, M. Tanigaki and S. Fujita: "Fabrication and properties of ZnO thin films prepared by micro channel mist method", Journal of The Society of Materials Science, Japan, Vol.55, No.2, pp.153 -158 (2006).
• (4) T. Kawaharamura, H. Nishinaka and S. Fujita: "The effect of fine channel & collisional mixing on mist CVD method", Journal of The Society of Materials Science, Japan, Vol.57, No.5, pp.481- 487 (2008).
• (5) Gamal A. M. Hussien: "Characterisation of the thermal genesis course of zinc oxide from zinc acetoacetonate dihydrate", Thermochimica Acta, Vol. 186, Iss.2, pp.187-197 (1991).

タイトルに関連する用語 (6件)： 超音波噴霧 ,  酸化物 ,  半導体薄膜 ,  作製 ,  太陽電池 ,  応用