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J-GLOBAL ID：201202264380069304   整理番号：12A0588780

Hot-wire法により生成した水素ラジカルによるレジスト材料の分解反応機構 I

著者 (6件)： 新井祐 (金沢工大) ,  渡邉誠 (金沢工大) ,  河野昭彦 (金沢工大) ,  山岸忠明 (金沢大) ,  堀邊英夫 (金沢工大) ,  堀邊英夫 (大阪大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.16A-A5-10  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ラジカル ,  *水素 ,  *レジスト ,  *分解反応 ,  *化学蒸着 ,  フェノール樹脂 ,  ポリスチレン ,  ポリビニルフェノール ,  ポリメチルスチレン ,  ポリ塩化ビニル ,  ポリアクリル酸 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  ポリイソブチレン ,  湿度 ,  架橋【高分子】 ,  芳香族化合物 ,  *水素ラジカル
準シソーラス用語： *ホットワイヤCVD

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： HOT ,  水素ラジカル ,  レジスト材料 ,  分解反応