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J-GLOBAL ID：201202264511427422   整理番号：12A0960598

NiO(111)エピタキシャル薄膜における周期的な直線ナノ溝アレイの自己組織化における急速熱処理と基板テラス幅の影響

Influence of Rapid Thermal Annealing and Substrate Terrace Width on Self-Organizing Formation of Periodic Straight Nanogroove Array on NiO(111) Epitaxial Thin Film

著者 (8件)： YAMAUCHI Ryosuke (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TAN Geng (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SHIOJIRI Daishi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA Koji (Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KANEKO Satoru (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KANEKO Satoru (Kanagawa Industrial Technol. Center, Kanagawa, JPN) ,  MATSUDA Akifumi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YOSHIMOTO Mamoru (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 6,Issue 2  ページ： 06FF16.1-06FF16.2  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザー蒸着法により原子ステップサファイア(0001)基板上に室温成長したNiO(111)エピタキシャル薄膜は,直線的原子ステップを持つ。約50nmのテラス幅に対しては,約6nmの深さの周期的な直線ナノ溝アレイが,急速熱処理後の薄膜表面上に形成された。約250nmのテラス幅の基板を用いた場合は,180°回転した三角の結晶領域の2つのタイプが,ナノ溝で区切られた膜のテラス上に交互に成長することが観察される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ニッケル ,  *エピタクシー ,  蒸着膜 ,  *周期的形態 ,  *ナノ構造 ,  *溝 ,  自己組織化 ,  RTA【熱処理】 ,  表面テラス ,  幅 ,  レーザ蒸着 ,  表面ステップ ,  原子間力顕微鏡 ,  基板 ,  サファイア ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  急速熱処理

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (33件)：

• 1) A.Toma et al.: Appl.Phys.Lett.93 (2008) 163104.
• 2) Y.Ando et al.: Nanotechnology 21 (2010) 095304.
• 3) Y.M.Song et al.: Opt.Express 18 (2010) 13063.
• 4) J.Siegel et al.: Surf.Coatings Technol.206 (2011) 517.
• 5) Y.H.Ko and J.S.Yu: Opt.Express 19 (2011) 15574.

タイトルに関連する用語 (8件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  周期 ,  直線 ,  アレイ ,  自己組織化 ,  急速熱処理 ,  テラス