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J-GLOBAL ID：201202264895386248   整理番号：12A1711863

ドライ及びウエットエッチングの組み合わせを用いたシリコンナノ細孔アレイの作製

Fabrication of silicon nanopore arrays using a combination of dry and wet etching

著者 (6件)： DENG Tao (Inst. of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  CHEN Jian (Coll. of Sci., Guizhou Univ., Guiyang 550025, CHN) ,  SI Weihua (Inst. of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  YIN Ming (Inst. of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  MA Wen (Inst. of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  LIU Zenwen (Inst. of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 6  ページ： 061804-061804-5  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,シリコンナノ細孔アレイの作製に関する新しい方法を述べた。提案した方法は,誘導結合プラズマ(ICP)エッチング及び二ステップ異方性ウエットエッチングに基づいており,従来の作製プロセスと較べて,低コストで短縮された時間で,個々のナノ細孔及び大量のナノ細孔アレイを作製するのに利用できた。このナノ細孔作製プロセスを最適化するために,ICPエッチウインドウのサイズを,一連のICP実験で決定し,二ステップウエットエッチングの理論解析を行った。130nmの平均特徴サイズをもつナノ細孔アレイ及び38nmの特徴サイズをもつ矩形ナノ細孔を,この方法により得ることに成功した。これらの結果は,望むサイズ及び形状のナノ細孔アレイの大量生産に関するこの方法の可能性を示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *細孔構造 ,  *アレイ ,  ナノ構造 ,  誘導結合プラズマ ,  *プラズマエッチング ,  最適化 ,  *ウェットエッチング
準シソーラス用語： シリコン ,  異方性エッチング

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 組み合わせ ,  シリコン ,  ナノ細孔 ,  アレイ ,  作製