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J-GLOBAL ID：201202265592698790   整理番号：12A1430942

誘導シンクロトロンのための1MHz動作スイッチングパルス発生装置用SiC-JFETの新しいパッケージ

Novel Package of SiC-JFET for a Switching Pulse Supply Operating at 1MHz for an Induction Synchrotron

著者 (7件)： OKAMURA Katsuya (High Energy Accelerator Res. Organization (KEK), Tsukuba, JPN) ,  ISE Keiichi (Tohoku Electric Power Co., Inc., JPN) ,  WAKE Masayoshi (High Energy Accelerator Res. Organization (KEK), Tsukuba, JPN) ,  TAKAKI Koichi (Iwate Univ., Morioka, JPN) ,  OSAWA Yutaka (SUN-A Corp., Miyoshi, JPN) ,  TAKAYAMA Ken (High Energy Accelerator Res. Organization (KEK), Tsukuba, JPN) ,  TAKAYAMA Ken (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Plasma Science  (IEEE Transactions on Plasma Science)
巻： 40  号： 9  ページ： 2205-2210  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： D0036B  ISSN： 0093-3813  CODEN： ITPSBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 物理的特性に優れたシリコンカーバイド(SiC)は,次世代パワーエレクトロニクス装置用の有望な電子材料である。特に,SiC接合電界効果トランジスタ(JFET)(SiC-JFET)は特性が優れた素子である。高エネルギー加速器研究機構(KEK)では,誘導シンクロトロンの変圧器駆動用に高繰返し高パワー半導体スイッチを開発している。そこで用いるデジタル加速器用SiC-JFETの高パワー離散型パッケージを開発し,性能を評価した。58mm×36mmの銅基板上に,高さ7mmの素子を構成し,樹脂で封止した。SiCダイの寸法は4.16mm角である。パルス放電回路を用い,1MHz,1kV,27Aで動作試験した。消費パワーは235W,熱抵抗は0.56K/Wである。

シソーラス用語： *シンクロトロン ,  *FET【トランジスタ】 ,  *パルス発生器
準シソーラス用語： シリコンカーバイド ,  パルスパワー電源 ,  *パワー半導体スイッチ ,  接合電界効果トランジスタ ,  誘導加速器

分類 (1件)： 円形加速器  (BE02020X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 誘導 ,  シンクロトロン ,  スイッチング ,  パルス発生装置 ,  SiC ,  JFET ,  パッケージ