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J-GLOBAL ID：201202266181344072   整理番号：12A1439416

アドバンスノードにおける主パターンCD変動に対するSRAFサイズの影響

Influence of SRAF size on Main feature CD variation on advanced node

著者 (4件)： LO Wei Cyuan (Uinted Microelectronics Corp., Tainan County, TWN) ,  CHEN Yi Chou (Uinted Microelectronics Corp., Tainan County, TWN) ,  CHENG Yung Feng (Uinted Microelectronics Corp., Tainan County, TWN) ,  CHEN Ming Jui (Uinted Microelectronics Corp., Tainan County, TWN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8326  号： Pt.2  ページ： 83262K.1-83262K.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アドバンスノードではマスク誤差強化係数(MEEF)が4まで増加し,主パターンCD変動に対する補助パターンの影響が以前よりも大きくなっている。微細補助パターン(SRAF)の使用は,凋密ピッチに最適化されたリソグラフィ設定下で,大ピッチにたいして適切なDOFを得るために不可欠である。スル-ピッチパターンに対する補助パターンサイズの影響を調べた。ProlithシミュレーションツールのM3Dモデルを使って,補助パターンサイズ調整による主パターン変動をシミュレートした。シミュレーションでSRAFのプリンタビリティも考慮し実ウエハで検証した。主パターンのマスクCD変動から来るウエハCDへの影響を示した。4nmSRAFマスクCDはポリ層に対して~0.6nmのCD変動の原因となり,コンタクト層には~1nmのCD変動となる。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  マスク ,  シミュレーション ,  均一性 ,  長さ ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： *CD均一性 ,  *SRAF ,  微細補助パターン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ノード ,  Cd ,  SRAF ,  サイズ