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J-GLOBAL ID：201202267888019794   整理番号：12A0087577

PN接合型ガードリングを形成した青-紫外光波帯・ワイドギャップ半導体アバランシフォトダイオード(APD)の開発

著者 (6件)： 稲垣雄介 (鳥取大 大学院工学研究科) ,  延一樹 (鳥取大 大学院工学研究科) ,  野村まり (鳥取大 大学院工学研究科) ,  阿部友紀 (鳥取大 大学院工学研究科) ,  笠田洋文 (鳥取大 大学院工学研究科) ,  安東孝止 (鳥取大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J95-C  号： 1  ページ： 18-23  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 紫外光波帯によるポスト・ブルーレイシステムや新しい光学医療機器などの開拓に向けて,ワイドギャップ半導体を用いた短波長帯APD素子の研究が活発に展開されている。しかし,現時点での多くのワイドギャップ半導体APD素子は,高電界動作時に発生する暗電流の増加や,それによる信号利得や感度の不安定性などのため,実用APD素子としての信頼性が確立されていない状況である。本研究は,GaAs基板上にMBE成長で作製したII-VI系ワイドギャップ半導体(ZnSSe)APD素子の上部にpn接合型ガードリングを形成し,暗電流の実用水準での制御とAPD動作の安定性を検証したものである。この新しい青-紫外APD素子は,極めて低い動作電圧(35V動作)において,低い暗電流(<10^-11A/mm²)と高い紫外感度(3A/W:300nm)を示す。(著者抄録)

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  PN接合 ,  化合物半導体 ,  暗電流 ,  高感度 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： *紫外光LED ,  ワイドギャップ半導体

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (7件)：

• T. Abe, K. Ando, K. Ikumi, H. Maeta, J. Naruse, K. Miki, A. Ehara, and H. Hirofumi, “High gain and high sensitive blue-ultraviolet avaranche photodiodes (APDs) of ZnSSe n⁺-i-p structure molecular beam Epitaxy (MBE) grown on p-type GaAs substrates,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.44, pp. L508-L510, 2005.
• K. Minder, J. L. Pau, R. McClintock, P. Kung, C. Bayram, M. Razeghi, and D. Silversmith, “Scaling in back-illuminated GaN avalanche photodiodes,” Appl. Phys. Lett., vol.91, 073513, 2007.
• J. L. Pau, C. Bayram, R. McClintock, M. Razeghi, and Sicversmith, “Back-illuminated separate absorption and multiplication GaN avalanche photodiodes,” Appl. Phys. Lett., vol.92, 101120, 2008.
• X. Guo, A. L. Beck, Z. Huang, N. Duan, J. C. Campbell, D. Emerson, and J. J. Sumakeris, “Performance of low-dark-current 4H-SiC avaranche photodiodes with thin multiplication layer,” IEEE Trans. Electron Devices, vol.53, no.9, pp. 2259-2265, Sept.2006.
• A. Vert, S. Soloviev, and P. Sandvik, “SiC avalanche photodiodes and photomultipliers for ultraviolet and solar-blind light detection,” Phys. Status Solidi A 206, no.10, pp. 2468-2477, 2009.

タイトルに関連する用語 (8件)： PN接合 ,  ガードリング ,  青 ,  紫外光 ,  ワイドギャップ半導体 ,  アバランシフォトダイオード ,  APD ,  開発