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J-GLOBAL ID:201202269236217252   整理番号:12A1209476

基板加熱成膜によるc面配向Coスパッタ薄膜の完全六方晶化

Perfect Hcp Atomic-layer Stacking for Sputtered Co Film with c-plane Sheet Texture by Substrate Heating Sputtering
著者 (4件):
資料名:
巻: 112  号: 137(MR2012 9-18)  ページ: 41-46  発行年: 2012年07月12日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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基板加熱がc面配向Coスパッタ薄膜の原子積層構造に及ぼす効果について評価し,原子積層構造と一軸結晶磁気異方性定数(Ku)との相関について解析した。具体的には,In-plane X線回折法を用いて薄膜中に形成される積層欠陥の導入度合いを定量評価し,磁気特性と積層構造との相関を詳細に検討したところ,以下のことが明らかとなった。1)c面配向Coスパッタ薄膜においては,室温成膜では積層欠陥として局所的なfcc積層を10%程度含んだ六方晶原子積層構造が形成される。400°Cの基板加熱成膜では積層欠陥の導入度合い(Pfcc)が0.1%以下となり,ほぼ完全にhcp積層した薄膜が形成される。2)基板温度を変化させても飽和磁化(Ms)は変化しない一方で,Kuは大きく変化し400°Cにおいて6.1×106erg/cm3の極大を示す。3)垂直磁気トルク曲線を2回および4回対称成分に分離してKu1,Ku2を解析したところ(Ku=Ku1+Ku2),Pfcc=7-10%ではKu2が支配的だが。Pfcc=2.5%付近でKu1とKu2の値がほぼ等しくなり,Pfcc=0%近傍ではKu1の方がKu2よりも増大した。4)したがってc面配向Coスパッタ薄膜の基板加熱成膜は,磁性結晶粒中の積層欠陥を排除し完全六方晶原子積層構造を形成させるための有効な手法であり,これによりCoスパッタ薄膜にもバルクの文献値(Ku=5.97×106erg/cm3)に匹敵する一軸結晶磁気異方性エネルギーを発現させ得ることを見出した。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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金属薄膜  ,  薄膜成長技術・装置 
引用文献 (14件):

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