文献

J-GLOBAL ID：201202270530131879   整理番号：12A1681527

a面に方位した窒化ガリウム層における誤配向した結晶粒の形成と変化

Formation and Evolution of Misoriented Grains in a-Plane Oriented Gallium Nitride Layers

著者 (5件)： TOKUMOTO Yuki (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ.) ,  LEE Hyun-jae (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ.) ,  OHNO Yutaka (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ.) ,  YAO Takafumi (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ.) ,  YONENAGA Ichiro (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 53  号： 11  ページ： 1881-1884 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線回折極点図測定を用いてr面サファイア基板上に成長した焼鈍した低温GaN層を調べた。GaN層は主にa面に配向し,4種類の方位の誤配向結晶粒を検知した。誤配向結晶粒のc軸は約35°垂直に表面から傾いていて,ボンドに沿っておりa面に配向した層のc軸に平行ではない。4種類の方位の誤配向結晶粒のc面に相当するピーク強度間に差があった。その差を考慮すると,それぞれの方位の誤配向結晶粒の相対量を予測することができる。主要な極性によって誤配向結晶粒の変化を制御できると期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  結晶粒 ,  結晶成長 ,  配向 ,  結晶方位 ,  極点図 ,  サファイア ,  基板 ,  予測 ,  *半導体薄膜 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 誤配向

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (17件)：

• BERNARDINI, F. Phys. Rev. B. 1997, 56, R10024-R10027
• TAKEUCHI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L382-L385
• WETZEL, C. Phys. Rev. B. 2000, 62, R13302-R13305
• MASUI, H. IEEE Trans. Electron Devices. 2010, 57, 88-100
• ARMITAGE, R. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 092121

タイトルに関連する用語 (4件)： 方位 ,  窒化ガリウム ,  誤配向 ,  結晶粒