SiH4+B10H14マルチホロー放電プラズマ化学蒸着を用いた無クラスタBドープ水素化非晶質珪素膜の蒸着

KOGA Kazunori; NAKAHARA Kenta; KIM Yeon-Won; MATSUNAGA Takeaki; YAMASHITA Daisuke; MATSUZAKI Hidefumi; UCHIDA Giichiro; KAMATAKI Kunihiro; ITAGAKI Naho; SHIRATANI Masaharu

文献

J-GLOBAL ID：201202275215439824 整理番号：12A0248666

SiH₄+B₁₀H₁₄マルチホロー放電プラズマ化学蒸着を用いた無クラスタBドープ水素化非晶質珪素膜の蒸着

Deposition of Cluster-Free B-doped Hydrogenated Amorphous Silicon Films Using SiH₄+B₁₀H₁₄ Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition

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資料名：
巻： 51 号： 1,Issue 2 ページ： 01AD03.1-01AD03.4 発行年： 2012年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

SiH₄+B₁₀H₁₄マルチホロー放電プラズマ化学蒸着(CVD)法を用いて無クラスタBドープ水素化非晶質珪素膜を実証した。膜の蒸着速度,バンドギャップ,電気伝導率の気体流量比R=[B₁₀H₁₄]/[SiH₄]への依存性を調べた。SiH₄+B₁₀H₁₄プラズマに対する蒸着速度は純SiH₄プラズマに対するものよりも2~3倍高速であった。発光分光測定はSiH₃ラジカル発生速度がRに無関係にほぼ一定であることを示唆した。これらの結果はB_xH_yラジカルが表面反応確率及び/又はSiH₃の付着確率を高め,主要な蒸着前駆体であることを示唆した。無クラスタBドープa-Si:H膜は1.8~2.0eVの広いバンドギャップエネルギーと5.0×10^-6S/cmに高い電気伝導率を有する。これらの結果はSiH₄+B₁₀H₁₄マルチホロー放電プラズマCVDを用いて蒸着した無クラスタBドープa-Si:H膜がPIN a-Si:H太陽電池のp層として有望であることを実証した。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜

引用文献 (41件)：

1) A. Shah, P. Torres, R. Tscharner, N. Wyrsch, and H. Keppner: Science 285 (1999) 692.
2) B. Rech and H. Wagner: Appl. Phys. A 69 (1999) 155.
3) R. W. Collins and A. S. Ferlauto: Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 6 (2002) 425.
4) A. Matsuda: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 7909.
5) M. Konagai: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 030001.

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