5段階法を用いて作製した高Ga含量のCu(In,Ga)Se<sub>2</sub>太陽電池のバンドプロフィル改善

HIRAI Yoshiaki; HIDAKA Yukiya; KUROKAWA Yasuyoshi; YAMADA Akira

文献

J-GLOBAL ID：201202275980969610 整理番号：12A1584294

5段階法を用いて作製した高Ga含量のCu(In,Ga)Se₂太陽電池のバンドプロフィル改善

Improvement of the Band Profile of Cu(In,Ga)Se₂ Solar Cells with High-Ga Content Prepared Using a Five-Stage Method

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A1584294&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A1584294&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 51 号： 10,Issue 2 ページ： 10NC03.1-10NC03.4 発行年： 2012年10月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

3段階法によって製造された高Ga含有量Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)太陽電池の効率は,太陽スペクトルとの良いマッチングにもかかわらず,低Ga含有量の場合よりも低くなる。二次イオン質量分析法(SIMS)測定により,高Ga含有量を持つCIGS膜のバンドプロフィルが,CdS/CIGS系界面から0.5μm付近に深いノッチを持っていることを明らかにした。高Ga含有量を持つCIGSのノッチ深さを減少させるために,従来の3段階法の代わりに5段階法を採用した。結果として,5段階法によって作製された1.40eVの平均的なバンドギャップを有するCIGS吸収体を用いて,14.9%の効率を得ることに成功した。理論的なシミュレーションで,太陽電池の性能特性におけるノッチの位置と深さの影響を明らかにした。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , , , , ,
,

太陽電池 , 半導体薄膜

引用文献 (20件)：

1) A. Shah, P. Torres, R. Tscharner, N. Wyrsch, and H. Keppner: Science 285(1999)692.
2) R.D. Wieting: AIP Conf. Proc. 462(1999)3.
3) P. Jackson, D. Hariskos, E. Lotter, S. Paetel, R. Wuerz, R. Menner, W. Wischmann, and M. Powalla: Prog. Photovoltaics 19(2011)894.
4) M.A. Green: Solar Cells: Operating Principles, Technology, and System Applications (Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1982) p.89.
5) S. Han, F.S. Hasoon, and J.W. Pankow: Appl. Phys. Lett. 87(2005)151904.

, , , , , , ,

前のページに戻る

5段階法を用いて作製した高Ga含量のCu(In,Ga)Se2太陽電池のバンドプロフィル改善

5段階法を用いて作製した高Ga含量のCu(In,Ga)Se₂太陽電池のバンドプロフィル改善