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J-GLOBAL ID：201202276019559389   整理番号：12A0960534

スピンコート高分子からのガスなしグラフェン成長

Graphene Growth from Spin-Coated Polymers without a Gas

著者 (8件)： SUZUKI Satoru (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKEI Yusuke (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKEI Yusuke (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  FURUKAWA Kazuaki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  WEBBER Gregory (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  WEBBER Gregory (Univ. Victoria, BC, CAN) ,  TANABE Shinichi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIBINO Hiroki (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 6,Issue 2  ページ： 06FD01.1-06FD01.5  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ar雰囲気または真空中において膜を加熱することによって,炭素源としてスピンコートポリスチレンまたはポリアニリン膜を用いて多結晶金属基板上にグラフェン膜を成長させた。6.7×10⁴PaのAr雰囲気中で,初期高分子膜厚の精密制御は少数層グラフェン成長に不可欠であった。真空中では,高分子を熱分解すると過剰の炭素原子が表面から除去されることから,初期高分子膜厚にかかわらず,少数層グラフェン膜が得られた。この後者の方法はどのようなガスも必要とせず,従って少数層グラフェンを成長させる非常に簡単で容易な方法である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スピンコーティング ,  高分子 ,  *炭素材 ,  *薄膜成長 ,  アルゴン ,  雰囲気 ,  真空 ,  加熱 ,  ポリスチレン ,  ポリアニリン ,  高分子膜 ,  多結晶 ,  基板 ,  膜厚 ,  熱分解 ,  *グラフェン ,  金属基板 ,  炭素源

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  薄膜一般  (BK14010X)

引用文献 (30件)：

• 1) A. Reina, S. Thiele, X. Jia, S. Bhaviripudi, M. S. Dresselhaus, J. A. Schaefer, and J. Kong: Nano Res. 2 (2009) 509.
• 2) X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruoff: Science 324 (2009) 1312.
• 3) S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. Kim, Y. Song, Y. Kim, K. Kim, B. Ozyilmaz, J. Ahn, B. Hong, and S. Iijima: Nat. Nanotechnol. 5 (2010) 574.
• 4) Y. Lee, S. Bae, H. Jang, S. Jang, S. Zhu, S. Sim, Y. Song, B. Hong, and J. Ahn: Nano Lett. 10 (2010) 490.
• 5) C. Mattevi, H. Kim, and M. Chhowalla: J. Mater. Chem. 21 (2011) 3324.

タイトルに関連する用語 (4件)： スピンコート ,  高分子 ,  グラフェン ,  成長