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J-GLOBAL ID：201202279478954664   整理番号：12A0636809

水中における白金触媒利用化学エッチングにより調製した原子的に平滑なGaN表面

Atomically Smooth Gallium Nitride Surfaces Prepared by Chemical Etching with Platinum Catalyst in Water

著者 (8件)： MURATA Junji (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  OKAMOTO Takeshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SADAKUNI Shun (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HATTORI Azusa N. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAGI Keita (Ebara Corp., Kanagawa, JPN) ,  SANO Yasuhisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ARIMA Kenta (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAUCHI Kazuto (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 4  ページ： H417-H420  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,水中における白金触媒利用化学エッチングを含む原子的に平滑なGaN表面調製法を提案し,その能力を示し,ウエハ規模(直径2in)で処理した表面の形態や光学/結晶学特性を評価し,またPtとGaNウエハ間電流密度測定によりエッチング機構を検討した。平滑化GaN(0001)面は単一二分子層高さ直定規状階段から成る周期的構造を示し,極端に少数の擦傷や穴を含む原子のステップとテラス構造がウエハ規模で実現された。光ルミネセンス分析ではバンド端ルミネセンス強度は平滑化後に著しく増えること,低エネルギー電子回折では平滑化GaN表面が結晶学的に十分規則性であることを示した。ウエハとPt間電流密度は,それらの回転時に認められ,Ptとウエハ表面間の摩擦効果で開始した電気化学反応により,GaN表面がエッチングされることを示唆した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *結晶面 ,  *平滑化 ,  *表面 ,  *白金触媒 ,  *エッチング ,  光学的性質 ,  結晶学 ,  電流密度 ,  二分子層 ,  周期構造 ,  ステップ ,  光ルミネセンス ,  発光 ,  放射強度 ,  低速電子回折 ,  規則度 ,  摩擦 ,  電気化学反応
準シソーラス用語： *化学エッチング ,  光学特性 ,  テラス ,  バンド端発光 ,  発光強度 ,  低エネルギー電子回折 ,  規則性

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水中 ,  白金触媒 ,  化学エッチング ,  調製 ,  原子 ,  GaN