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J-GLOBAL ID：201202279909129852   整理番号：12A0337509

H₂O雰囲気中での反応性スパッタリングで作成した水化ZrO₂薄膜のイオン伝導率におよぼす基板温度の効果

Effects of substrate temperature on the ion conductivity of hydrated ZrO₂ thin films prepared by reactive sputtering in H₂O atmosphere

著者 (7件)： LI Ning (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kitami Inst. of Technol., Kitami, Hokkaido 090-8507, JPN) ,  SUZUKI Miki (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kitami Inst. of Technol., Kitami, Hokkaido 090-8507, JPN) ,  ABE Yoshio (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kitami Inst. of Technol., Kitami, Hokkaido 090-8507, JPN) ,  KAWAMURA Midori (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kitami Inst. of Technol., Kitami, Hokkaido 090-8507, JPN) ,  SASAKI Katsutaka (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kitami Inst. of Technol., Kitami, Hokkaido 090-8507, JPN) ,  ITOH Hidenobu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kitami Inst. of Technol., Kitami, Hokkaido 090-8507, JPN) ,  SUZUKI Tsutomu (Dep. of Biotechnology and Environmental Chemistry, Kitami Inst. of Technol., Kitami, Hokkaido 090-8507, JPN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 99  ページ： 160-165  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H₂O雰囲気下,基板温度を変えて水化ZrO₂薄膜を反応性スパッタリングで作成した。膜の結晶構造,化学結合状態,膜密度,屈折率,表面形態とイオン伝導率を調べた。基板温度の低下とともに,水素結合したOH基による吸収ピークの強度が増加し,また膜密度が減少した。これに対応して,基板温度の低下とともにイオン伝導率が増加し,最低基板温度-30°Cで堆積した膜では最大イオン伝導率6×10^-6S/mが得られた。膜の高い陽子伝導率を得る観点から,反応性ガスへのH₂O添加と基板冷却が,H₂O量の増加と膜密度の減少に極めて有効と考える。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *反応性スパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  水蒸気 ,  *酸化ジルコニウム ,  *蒸着膜 ,  結晶構造 ,  密度 ,  屈折率 ,  形態 ,  *電気伝導率 ,  基板温度
準シソーラス用語： *イオン伝導率 ,  表面形態

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (8件)： H2O ,  雰囲気 ,  反応性スパッタリング ,  水 ,  ZrO2 ,  薄膜 ,  イオン伝導率 ,  基板温度