文献

J-GLOBAL ID：201202284696113080   整理番号：12A0854169

GaN電子デバイスにおける絶縁膜界面制御

Control of insulator-semiconductor interfaces for GaN-based electron devices.

著者 (1件)： 橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 81  号： 6  ページ： 479-484  発行年： 2012年06月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 絶縁膜/(Al)GaNのバンドラインナップと界面準位評価に関してこれまでの報告をまとめ,GaN系電子デバイスにおける絶縁膜界面制御の可能性を検討した。絶縁ゲート応用の点からみると,界面のバンド不連続量が重要な要因になる。室温の容量-電圧(C-V)法による界面準位評価に関しては,禁制帯内の深いエネルギー位置にある準位が「眠った状態」であることに注意が必要である。また,AlGaN/GaNヘテロ構造表面に絶縁膜を形成した試料に対しては,絶縁膜/AlGaNの界面準位密度を評価する手法として光支援C-V法が有力であることを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  バンド構造 ,  表面準位 ,  *バンドオフセット ,  酸化膜 ,  容量電圧特性 ,  深い準位 ,  ヘテロ接合 ,  *MOS構造 ,  MIS構造 ,  不動態化 ,  HEMT ,  FET【トランジスタ】 ,  二酸化ケイ素 ,  酸化アルミニウム ,  窒化ケイ素 ,  誘電体薄膜 ,  *ゲート絶縁膜 ,  高誘電率薄膜 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  化成皮膜 ,  改変
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,  *界面準位

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (40件)：

• GAFFEY, B. IEEE Trans. Electron Dev. 2001, 48, 458
• COOK, T. E. Jr. J. Appl. Phys. 2003, 93, 3995
• HASHIZUME, T. J. Vac. Sci. Technol. B. 2003, 21, 1828
• COOK, T. E. Jr. J. Appl. Phys. 2003, 93, 3949
• LEE, C.-T. IEEE Electron Dev. Lett. 2003, 24, 54

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  電子デバイス ,  絶縁膜 ,  界面制御