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J-GLOBAL ID：201202285679942133   整理番号：12A0039203

ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価

Interface characterization of MOS structures fabricated on dry-etched GaN and AlGaN

著者 (4件)： KIM Sungsik (北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  掘祐臣 (北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  谷田部然治 (北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  橋詰保 (北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 292(LQE2011 96-122)  ページ： 25-28  発行年： 2011年11月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには,CH₄/H₂/N₂/ArガスによるECR支援プラズマ法とCl₂/BCl₃ガスによるICP支援プラズマ法を用いた。ドライエッチング後は表面の化学結合状態が乱れ,その後のMOS構造形成により,1x10¹²cm^-2eV^-1以上の密度の界面準位が生成されることが明らかになった,特にECR支援プラズマプロセス試料では高密度の界面準位が観測された。400°Cの熱処理により界面特性は回復し,ICP支援プラズマプロセス試料では,5x10¹¹cm^-2eV^-1程度まで密度が低減した。一方,AlGaN/GaN構造のAlGaN表面をエッチングした場合,アニール後でも1x10¹²cm^-2eV^-1以上のMOS界面準位が観測された。(著者抄録)

シソーラス用語： *ドライエッチング ,  誘導結合プラズマ ,  ECRプラズマ ,  MOS構造 ,  *窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  *表面準位 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  素子構造
準シソーラス用語： *AlGaN ,  GaN ,  ICP ,  界面準位

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (7件)：

• 蔵口. 信学技報. 2009, ED2009-43, 37-40
• KIM, H. Electron. Lett. 2008, 44, 1037
• SUDA, J. Appl. Phys. Express. 2010, 3, 101003
• HASHIZUME, T. Appl. Sur. Sci. 2004, 234, 387
• HASHIZUME, T. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 4564

タイトルに関連する用語 (5件)： エッチ面 ,  GaN ,  AlGaN ,  界面 ,  評価