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J-GLOBAL ID：201202285944067738   整理番号：12A0495307

水素化した窒化ケイ素のエッチングの真空紫外及び紫外放射誘導効果: 表面反応増強及び損傷発生

Vacuum Ultraviolet and Ultraviolet Radiation-Induced Effect of Hydrogenated Silicon Nitride Etching: Surface Reaction Enhancement and Damage Generation

著者 (14件)： FUKASAWA Masanaga (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUKASAWA Masanaga (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYAWAKI Yudai (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KONDO Yusuke (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Keigo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KONDO Hiroki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Kenji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SEKINE Makoto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MATSUGAI Hiroyasu (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  HONDA Takayoshi (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  MINAMI Masaki (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  UESAWA Fumikatsu (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  HORI Masaru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TATSUMI Tetsuya (Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 1  ページ： 026201.1-026201.7  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フルオロカーボンプラズマの中の,真空紫外(VUV)/紫外(UV)放射とラジカルの間の,相互作用によって引き起される,SiN_x:H膜の光子増強エッチングを,プラズマ評価のためのパレットの新しい試料構成を用いる技法によって調べた。UV放射とラジカルの同時入射は,SiN_x:H膜の劇的エッチ速度増大を引き起す。単独のUV放射は,膜からの水素脱着のために,SiN_x:H膜の膜収縮を引き起す。SiN_x:H/Si基板の容量-電圧特性を,UV放射の前と後に研究した。界面トラップ密度は,248nmの波長をもつUV光子を照射することで,単調に増加した。評価した実効界面トラップ発生確率は,4.74×10^-7eV^-1フォトン^-1である。従って,プラズマプロセシングの間のVUV/UVスペクトルのモニタリングと,表面反応,膜損傷及び下にある素子の電気的性能に対するその影響の理解は,先進的素子を製作するために不可欠である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： プラズマ ,  脂肪族フッ素化合物 ,  真空紫外線 ,  ラジカル ,  相互作用 ,  *窒化ケイ素 ,  水素化 ,  *プラズマエッチング ,  光子 ,  加工速度 ,  水素 ,  脱着 ,  収縮 ,  膜 ,  静電容量 ,  電圧 ,  密度 ,  捕獲中心 ,  スペクトル ,  損傷

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (33件)：

• 1) S. Ito, H. Namba, K. Yamaguchi, T. Hirata, K. Ando, S. Koyama, S. Kuroki, N. Ikezawa, T. Suzuki, T. Saitoh, and T. Horiuchi: IEDM Tech. Dig., 2000, p. 247.
• 2) A. Shimizu, K. Hachimine, N. Ohki, H. Ohta, M. Koguchi, Y. Nonaka, H. Sato, and F. Ootsuka: IEDM Tech. Dig, 2001, p. 19.4.1.
• 3) T. Ghani, M. Armstrong, C. Auth, M. Bost, P. Charvat, G. Glass, T. Hoffmann, K. Johnson, C. Kenyon, J. Klaus, B. McIntyre, K. Mistry, A. Murthy, J. Sandford, M. Silberstein, S. Sivakumar, P. Smith, P. K. Zawadzki, S. Thompson, and M. Bohr: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 11.6.1.
• 4) T. Ueno, H. S. Rhee, H. Lee, M. S. Kim, H. S. Cho, H. S. Baik, Y. H. Jung, H. W. Lee, H. S. Park, C. K. Lee, G. Bae, and N. Lee: VLSI Symp. Tech. Dig., 2006, p. 104.
• 5) B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo, J. J. Beulens, and G. S. Oehrlein: J. Vac. Sci. Technol. A 14 (1996) 2802.

タイトルに関連する用語 (8件)： 水素化 ,  窒化ケイ素 ,  エッチング ,  紫外放射 ,  誘導 ,  表面反応 ,  増強 ,  損傷