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J-GLOBAL ID：201202286191267980   整理番号：12A0853574

化学機械研磨における除去率プロファイルへのウエハ端構造の影響:ウエハ端のロールオフと切欠き

Influence of Wafer Edge Geometry on Removal Rate Profile in Chemical Mechanical Polishing: Wafer Edge Roll-Off and Notch

著者 (4件)： FUKUDA Akira (Ebara Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUKUDA Tetsuo (Fujitsu Semiconductor Ltd., Yokohama, JPN) ,  FUKUNAGA Akira (Ebara Corp., Kanagawa, JPN) ,  TSUJIMURA Manabu (Ebara Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 5,Issue 2  ページ： 05EF01.1-05EF01.5  発行年： 2012年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学機械研磨(CMP)過程では,ウエハ端近くまで一様に研磨することが,端排除を減少し,収率を改善するのに重要である。本研究では,固有のウエハ端構造,すなわち端のロールオフと切欠きがCMP除去率プロファイルに及ぼす影響を調べた。除去率プロファイルがウエハ端のロールオフと切欠きに影響される面積と,除去率プロファイルに対するそれらの効果の強さを明らかにした。また,小さい切欠きを使って,ウエハ切欠きの影響を減らすことを提案し,有限要素法(FEM)分析により調べた結果を紹介した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化学研磨 ,  *比率 ,  切欠き ,  *ウエハ【IC】 ,  有限要素法 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： *材料除去率 ,  ロールオフ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (18件)：

• 1) D. K. de Vries: IEEE Trans. Semicond. Manuf. 18 (2005) 136.
• 2) F. Burkeen, S. Vedula, and S. Meeks: KLA Tencor Yield Manage. Solutions Mag. 9 [1] (2007) 18.
• 3) H. Arai:Seimitsu Kogaku Kaishi 73 (2007) 756 [in Japanese].
• 4) T. Masunaga, M. Sudoh, K. Kojima, T. Sakamoto, S. Kawamoto, and K.Koutari: Proc. Japan Society for Precision Engineering Autumn Conf.,2001, p.489 [in Japanese].
• 5) JEITA Standard EM-3510 (2007).

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学機械研磨 ,  除去率 ,  プロファイル ,  ウエハ ,  ロールオフ ,  切欠き