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J-GLOBAL ID：201202286324078310   整理番号：12A1438579

AlGaAs/AlAsタイプII量子井戸のMBE成長とAlAs膜厚依存性

著者 (6件)： 神野泰輔 (愛媛大 大学院) ,  谷勇気 (愛媛大 大学院) ,  福澤董 (JST) ,  白方祥 (愛媛大 大学院) ,  近藤久雄 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.11A-J-2  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *ヒ化アルミニウム ,  *多重量子井戸 ,  *MBE成長 ,  *光ルミネセンス ,  基板 ,  *結晶方位 ,  バンド構造 ,  発光 ,  *励起子
準シソーラス用語： 膜厚依存性 ,  励起子発光

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaAs ,  AlAs ,  タイプ ,  量子井戸 ,  MBE成長 ,  膜厚依存性