TAKECHI Kazushige について
NLT Technol., Ltd., Kawasaki, JPN について
IWAMATSU Shinnosuke について
Yamagata Res. Inst. of Technol., Yamagata, JPN について
YAHAGI Toru について
Yamagata Res. Inst. of Technol., Yamagata, JPN について
WATANABE Yoshiyuki について
Yamagata Res. Inst. of Technol., Yamagata, JPN について
KOBAYASHI Seiya について
Yamagata Res. Inst. of Technol., Yamagata, JPN について
TANABE Hiroshi について
NLT Technol., Ltd., Kawasaki, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
非晶質半導体 について
半導体薄膜 について
薄膜トランジスタ について
素子構造 について
化合物半導体 について
ゲート【半導体】 について
効果 について
密度 について
捕獲 について
特性 について
2重ゲート構造 について
IGZO【半導体】 について
トップゲート効果 について
電子トラップ密度 について
トランスファ特性 について
トランジスタ について
2重ゲート について
アモルファス について
薄膜トランジスタ について
トップ について
ゲート効果 について