2重ゲート構造を用いたアモルファスInGaZnO<sub>4</sub>薄膜トランジスタのトップゲート効果のキャラクタライゼーション

TAKECHI Kazushige; IWAMATSU Shinnosuke; YAHAGI Toru; WATANABE Yoshiyuki; KOBAYASHI Seiya; TANABE Hiroshi

文献

J-GLOBAL ID：201202289835026580 整理番号：12A1584226

2重ゲート構造を用いたアモルファスInGaZnO₄薄膜トランジスタのトップゲート効果のキャラクタライゼーション

Characterization of Top-Gate Effects in Amorphous InGaZnO₄ Thin-Film Transistors Using a Dual-Gate Structure

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 51 号： 10,Issue 1 ページ： 104201.1-104201.7 発行年： 2012年10月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

アモルファスInGaZnO₄薄膜トランジスタ(a-IGZO TFTs)は液晶デイスプレーなど,フラットパネルデイスプレーへの応用が期待されている。本論では,2重ゲート構造を有するa-IGZO TFTsについて,ボトムゲートトランスファ特性のトップゲート電圧依存性(トップゲート効果と呼ぶ)を調べた。正のトップゲート効果はトップチャネル界面における電子トラップ密度に依存して変化し,一方,負のトップゲート効果はトップチャネル特性に関わらずボトムゲートトランスファ特性に対して同様のインパクトを有することを見出した。また,正のトップゲート効果によるオフ電流の増大は,サブスレッショルド性能を犠牲にすることで実効的に抑制できることを見出した。これらの挙動は,ボトムゲート電界とトップゲート電界間の相互作用によって記述できた。従来の水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)と比較して,a-IGZO TFTsはより大きなトップゲート効果を示した。この結果は,高い電子易動度を有しホール蓄積が存在しないと言われる,a-IGZOの材料特性によるものと考えた。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (32件)：

1) K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Nature 432 (2004) 488.
2) T. Osada, K. Akimoto, T. Sato, M. Ikeda, M. Tsubuku, J. Nakata, J. Koyama, T. Serikawa, and S. Yamazaki: Dig. 16th Int. Workshop Active- Matrix Flatpanel Displays and Devices, 2009, p. 3.
3) H. D. Kim, J.-S. Park, Y. G. Mo, and S. S. Kim: Dig. Int. Meet. Information Display, 2009, p. 35.
4) J. Lee, D. Kim, D. Yang, S. Hong, K. Yoon, P. Hong, C. Jeong, H. Park, S. Y. Kim, S. K. Lim, S. S. Kim, K. Son, T. Kim, J. Kwon, and S. Lee: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 39 (2008) 625.
5) M. Ito, M. Kon, T. Okubo, M. Ishizaki, and N. Sekine: Proc. IDW/AD'05, 2005, p. 845.

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2重ゲート構造を用いたアモルファスInGaZnO4薄膜トランジスタのトップゲート効果のキャラクタライゼーション

2重ゲート構造を用いたアモルファスInGaZnO₄薄膜トランジスタのトップゲート効果のキャラクタライゼーション