文献

J-GLOBAL ID：201202291550126950   整理番号：12A1438917

アモルファスSiO:H薄膜の成長過程:3.膜成長モデルとプロセス制御

著者 (10件)： 傍島靖 (大阪大 大学院) ,  傍島靖 (JST-CREST) ,  木下翔太 (大阪大 大学院) ,  三坂修己 (大阪大 大学院) ,  佐田千年長 (大阪大 大学院) ,  佐田千年長 (JST-CREST) ,  松田彰久 (大阪大 大学院) ,  松田彰久 (JST-CREST) ,  岡本博明 (大阪大 大学院) ,  岡本博明 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.14P-F6-6  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *酸化ケイ素 ,  非晶質半導体 ,  *水素化物 ,  *薄膜成長 ,  *プラズマ診断 ,  化学組成 ,  モデル ,  *光学ギャップ ,  *電気伝導率 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池 ,  *薄膜太陽電池

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： アモルファス ,  SiO ,  薄膜 ,  成長過程 ,  膜成長 ,  モデル ,  プロセス制御