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J-GLOBAL ID：201202293317127329   整理番号：12A0591388

GaN基板上高耐圧GaN pn接合ダイオード

High Breakdown GaN p-n Junction Diode on Free-Standing GaN Substrates

著者 (7件)： 畠山義智 (法政大) ,  野本一貴 (法政大) ,  中村徹 (法政大) ,  金田直樹 (日立電線) ,  河野敏弘 (日立電線) ,  土屋忠厳 (日立電線) ,  三島友義 (日立電線)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-12  号： 30-31.33-41  ページ： 21-23  発行年： 2012年03月07日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaNはワイドバンドギャップ材料で高い絶縁破壊強度,高い飽和ドリフト速度と良好な熱伝導度を持つ。GaN系素子はサファイア・Si・SiC等の異種基板上に構成されるが,基板とエピタキシャル層感に大きな格子不整合,熱膨張係数の違いでGaNエピタキシャル層中に多くの結晶欠陥を生じさせる。これら欠陥は主に10⁹/cm²以上の高密度貫通転位から成り漏れ電流を増大させる一因である。このため動作電圧向上とオン抵抗低減が必要で,高電圧光電流動作のためにエピタキシャル層内の結晶欠陥低減が必要である。ここでは,10⁶/cm²程度の貫通転位密度を有するGaN基板上に電極面積の異なるPN接合ダイオードを作製し,耐圧実現を検討した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  基板 ,  絶縁耐力 ,  *PN接合 ,  *接合ダイオード ,  絶縁破壊 ,  貫通転位 ,  転位密度 ,  *漏れ電流 ,  オン抵抗 ,  電流電圧特性 ,  ガラス ,  *格子欠陥
準シソーラス用語： SOG

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (12件)：

• [1] Y. Yoshizumi, S. Hashimoto, T. Tanabe, and M. Kiyama, "Highbreakdown-voltage pn-junction diodes on GaN substrates," J. Cryst.Growth, vol. 298, pp. 875-878, Jan. 2007.
• [2] J. K. Sheu, M. L. Lee, and W. C. Lai, "Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes", Appl. Phys. Lett., vol. 86, pp. 052103-1-052103-3, Jan. 2005
• [3] K. Motoki, T. Okahisa, S. Nakahata, N. Matsumoto, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, M. Ueno, Y. Kumagai, A. Koukitu, and H. Seki, "Growth and characterization of freestanding GaN substrates", Journal of Crystal Growth, vol. 237-239, part 2, pp. 912-921 (2002)
• [4] Y. Oshima, T. Eri, M. Shibata, H. Sunakawa, K. Kobayashi, T. Ichihashi, and A. Usui, "Preparation of freestanding GaN wafers by hydride vapor phase epitaxy with void-assisted separation,"Jpn. J. Appl. Phys., vol. 42, no. 1A/B, pp. Ll-L3, Jan. 2003.
• [5] T. Yoshida, Y. Oshima, T. Eri, K. Ikeda, S. Yamamoto, K. Watanabe, M. Shibata, and T. Mishima, "Fabrication of 3-in GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy using void-assisted separation method," J. Cryst. Growth, vol. 310, no. 1, pp. 5-7, Jan. 2008.

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  高耐圧 ,  PN接合 ,  ダイオード