斜めイオン入射のSiプラズマエッチングにより生ずるナノ表面リップルのモデリングとシミュレーション

TSUDA Hirotaka; TAKAO Yoshinori; ERIGUCHI Koji; ONO Kouichi

文献

J-GLOBAL ID：201202294651228566 整理番号：12A1287313

斜めイオン入射のSiプラズマエッチングにより生ずるナノ表面リップルのモデリングとシミュレーション

Modeling and Simulation of Nanoscale Surface Rippling during Plasma Etching of Si under Oblique Ion Incidence

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資料名：
巻： 51 号： 8,Issue 2 ページ： 08HC01.1-08HC01.7 発行年： 2012年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

三次元原子スケールのセルモデル(ASCeM-3D)は,プラズマエッチング中の原子もしくはナノメートルスケールでの特徴的プロファイルの発生を再現するために開発された。重要な点は,エッチング面にリップル構造が生じることへの注意とともに,Cl₂プラズマにおけるSiエッチング中に発生するナノスケール表面の特徴および粗さである。シミュレーションは,イオン入射エネルギーE_i=100eV,Γ_i⁰=1.0×10¹⁶cm^-2s^-1,及び中性原子/イオンのフラックス比Γ_n⁰/Γ_i⁰=100,θ_i=0から85°の異なるイオン入射角に対して行った。これは高密度プラズマエッチング条件では一般的なものである。数値計算結果は,角度θ_iが増加するにつれて,ナノスケールの凹凸外観が劇的に変化し,リップル構造がエッチング面に発生することを示した。θ_i=0°もしくは垂直のイオン入射により,表面はランダムに粗れる。θ_i=30°から45°までの増加,もしくは斜めイオン発生率の増加に対し,リップルはイオン入射方向に対して垂直に形成される。一方,θ_i=75°から80°に増加するとイオン入射方向に平行になる。イオン軌道の分析は,微視的に粗れた面上のイオン反射と密度が,プラズマエッチング中の表面粗れとリップル形成に大きく影響することを示す。表面へのイオンの斜入射の実験はプラズマ環境下では困難であるため,数値計算アプローチはナノスケールの表面の特徴と粗れ,特にパターン側壁に形成されるラインエッジラフネス(LER)を予測するために重要になる。(翻訳著者抄録)

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固体-プラズマ相互作用 , 固体デバイス製造技術一般

引用文献 (46件)：

1) X. Sun and T.-J. King Liu: IEEE Trans. Semicond. Manuf. 23 (2010) 311.
2) D. Hisamoto, W.C. Lee, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, K. Asano, T.J. King, J. Bokor, and C. Hu: IEDM Tech. Dig., 1998, p.1032.
3) H.S.P. Wong, D.J. Frank, and P.M. Solomon: IEDM Tech. Dig., 1998, p.407.
4) K. Patel, T. -J. King Liu, and C.J. Spanos: IEEE Trans. Electron Devices 56 (2009) 3055.
5) E. Altamirano-Sánchez, V. Paraschiv, M. Demand, and W. Boullart:Microelectron. Eng. 88 (2011) 2871.

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