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J-GLOBAL ID：201202295758849101   整理番号：12A0772975

青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御

Control of Crystallization Behavior of Silicon Thin Films by Semiconductor Blue-Multi-Diode-Laser Annealing

著者 (9件)： 白井克弥 (琉球大 工) ,  MUGIRANEZA J.D. (琉球大 工) ,  鈴木俊治 (琉球大 工) ,  岡田竜弥 (琉球大 工) ,  野口隆 (琉球大 工) ,  松島英樹 (日立コンピュータ機器) ,  橋本隆夫 (日立コンピュータ機器) ,  荻野義明 (日立コンピュータ機器) ,  佐保田英二 (日立コンピュータ機器)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 18(SDM2012 1-18)  ページ： 33-36  発行年： 2012年04月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 青色半導体レーザによる薄膜シリコンの結晶化を検討した。レーザの照射条件(強度,走査速度)等の変更で,結晶粒径の制御ができ,低い強度のレーザ照射では,加熱により均一に核発生するため,(111)方向優先の微細結晶化が起こる事がわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： 半導体レーザ ,  *レーザアニーリング ,  *ケイ素 ,  *結晶粒径 ,  *半導体薄膜 ,  レーザ照射

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 青色 ,  半導体レーザアニール ,  薄膜 ,  シリコン ,  結晶状態