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J-GLOBAL ID：201202298310112395   整理番号：12A0773341

AlNバルク単結晶成長

AlN Bulk Single Crystals Growth

著者 (9件)： KATO Tomohisa (Fujikura Ltd.) ,  NAGAI Ichiro (Fujikura Ltd.) ,  MIURA Tomonori (Fujikura Ltd.) ,  OKUMURA Hajime (Fujikura Ltd.) ,  SAITO Manabu (Fujikura Ltd.) ,  KAMATA Hiroyuki (Fujikura Ltd.) ,  TAKASHIMA Hideyuki (Fujikura Ltd.) ,  NAOE Kunihiro (Fujikura Ltd.) ,  SANADA Kazuo (Fujikura Ltd.)
資料名： Fujikura Technical Review  (Fujikura Technical Review)
号： 41  ページ： 20-24  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： X0696A  ISSN： 0388-225X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウム(AlN)単結晶は,パワーエレクトロニクスデバイスや深UV LED/LD用に期待されているAlN系III-窒化物半導体の高品質化に必須な基板材料である。本文では,SiC種結晶上での昇華法(改良Lely法)による高品質AlNバルク単結晶成長について報告する。更に,AlN種結晶上にAlNバルク単結晶を高速成長させることに成功した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *単結晶 ,  *結晶成長 ,  パワーエレクトロニクス ,  紫外線 ,  発光ダイオード ,  化合物半導体 ,  種結晶 ,  基板 ,  昇華 ,  エッチピット ,  ロッキングカーブ ,  表面性状 ,  Ramanスペクトル ,  成長速度
準シソーラス用語： 深UV ,  窒化物半導体 ,  X線ロッキングカーブ

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (8件)：

• 1)T.P. Cho:Mater. Sci. Forum, Vol.338/342, p.1155,2000
• 2)J.C. Rojo, L: J. Schowalter, K Morgan, D.1. Florescu, E H・ Pollak, B. Raghothamachar, and M. Dudley:Mater. Sci. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.680E, E2.1.1,2001
• 3)P.B. Perry, and RF. Ruz:Appl. Phys. Lett., VoL33, p.319, 1978
• 4)Y.Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto:NatUre, Vol.441 pp.325-328,2006
• 5)Y.M. Tairov, and V. F. Tsvetkov:J. Cryst.Growth, Vol.43 p.209,1978

タイトルに関連する用語 (3件)： AlN ,  バルク ,  単結晶成長