特許
J-GLOBAL ID：201203000138319980

半導体基板の作製方法、及び半導体装置の作製方法

発明者：
鈴木 視喜

鈴木 視喜 について

, 
山出 直人

山出 直人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-156554
公開番号（公開出願番号）：特開2012-019125
出願日： 2010年07月09日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：
【課題】絶縁表面に欠陥の少ない単結晶半導体膜を有する半導体基板の、簡便な作製方法を提供することを課題の一つとする。また、歩留まりの良い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。【解決手段】単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングしながら、絶縁層を介して単結晶半導体基板にイオン照射を行うことで、脆化領域を形成し、単結晶半導体基板の表面に接合層を形成し、単結晶半導体基板と、支持基板とを、接合層を介して貼り合わせ、熱処理を行うことにより、脆化領域内に劈開面を形成して、単結晶半導体基板の一部を分離する、半導体基板の作製方法を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、 前記絶縁層をエッチングしながら、前記絶縁層を介して前記単結晶半導体基板にイオン照射を行うことで、脆化領域を形成し、 前記単結晶半導体基板のイオン照射を行った面に接合層を形成し、 前記単結晶半導体基板と、支持基板とを、前記接合層を介して貼り合わせ、 熱処理を行うことにより、前記脆化領域内に劈開面を形成して、前記単結晶半導体基板の一部を分離する半導体基板の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  B23K 15/00
FI (4件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L29/78 627D ,  B23K15/00 508
Fターム (70件)：
4E066BA13 ,  4E066CA15 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE27 ,  5F110EE32 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ23
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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