特許
J-GLOBAL ID：200903012667588700

半導体装置の作製方法

発明者：
大沼 英人

大沼 英人 について

, 
飯窪 陽一

飯窪 陽一 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-262641
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111375
出願日： 2008年10月09日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】SOI基板に不純物が混入するのを防ぐことができる、半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】水素ガス、ヘリウムガスおよびハロゲンガスから選ばれた1種または複数種のガスを含むソースガスを励起してイオンを生成し、該イオンをボンド基板に添加することで、ボンド基板中に脆化層を形成する。そして、ボンド基板の表面近傍、すなわち、ボンド基板のうち、脆化層よりも浅い位置から表面までの領域を、エッチングまたは研磨などにより除去する。次に、ボンド基板とベース基板とを貼り合わせた後、該ボンド基板を脆化層において分離させることで、ベース基板上に半導体膜を形成する。上記半導体膜をベース基板上に形成した後、該半導体膜を用いて半導体素子を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
イオンをボンド基板に添加することで、前記ボンド基板中に脆化層を形成し、 前記ボンド基板において、前記脆化層よりも浅い位置から表面までの領域を部分的に除去し、 前記ボンド基板とベース基板とを貼り合わせた後、前記ボンド基板を前記脆化層において分離させることで、前記ベース基板上に半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (8件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136
FI (8件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/322 X ,  H01L21/20 ,  H01L27/12 R ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627D ,  G02F1/1368
Fターム (135件)：
2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JB56 ,  2H092MA06 ,  2H092MA16 ,  2H092MA17 ,  2H092MA35 ,  2H092NA25 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE25 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F152AA01 ,  5F152AA12 ,  5F152AA13 ,  5F152AA14 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CD12 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CE03 ,  5F152CE06 ,  5F152CE08 ,  5F152CE24 ,  5F152CE48 ,  5F152DD02 ,  5F152DD04 ,  5F152DD06 ,  5F152EE11 ,  5F152EE13 ,  5F152EE16 ,  5F152FF03 ,  5F152FF28 ,  5F152FG01 ,  5F152FG04 ,  5F152FG08 ,  5F152FG18 ,  5F152FG23 ,  5F152FH02 ,  5F152FH04 ,  5F152FH05 ,  5F152LL16 ,  5F152LM09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN07 ,  5F152NN08 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN19 ,  5F152NN20 ,  5F152NP11 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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