SOI基板の作製方法、および半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-084606
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004739
出願日： 2008年03月27日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】水素イオン注入法により、ベース基板がガラス基板のような耐熱性の低い基板でなり、表面の平坦性が高く、100nm以下の薄い半導体層を有するSOI基板を作製する。【解決手段】接合層を介して半導体基板とベース基板を貼り付ける。加熱処理を行い、半導体基板を分割することで、半導体基板から分離された半導体層が固定されたベース基板を得ることができる。この半導体層にレーザ光を照射し、溶融させることで、半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつその結晶性を回復させる。レーザ光の照射の後、半導体層をエッチングなどにより薄くする。以上の工程を経ることで、ベース基板上に厚さ100nm以下の単結晶半導体層を有するSOI基板を作製することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板から分離された半導体層と、前記半導体層が固定されているベース基板を有するSOI基板の作製方法であり、前記半導体基板と、前記ベース基板と、加速されたイオン種でなるイオンビームを前記半導体基板に注入して、前記半導体基板の表面から所定の深さの領域に形成されたイオン注入層と、前記半導体基板に形成された接合層と、を用意し、前記イオン種の生成は、水素ガス、希ガス、ハロゲンガス及びハロゲン化合物ガスから選ばれた1種または複数種類のガスを含むソースガスを励起することで行われ、前記接合層と前記ベース基板を接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、前記半導体基板の加熱によって前記イオン注入層に亀裂を生じさせ、前記半導体基板を前記ベース基板から分離することにより、前記半導体基板から分離された半導体層が固定されたベース基板を形成し、前記ベース基板に固定された前記半導体層にレーザ光を照射し、前記レーザ光が照射された半導体層の厚さを薄くすることを特徴とするSOI基板の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 27/08 , H01L 21/265 , H01L 21/20

FI (7件)：

H01L27/12 B , H01L29/78 627D , H01L29/78 626C , H01L27/08 331E , H01L21/02 B , H01L21/265 Q , H01L21/20

Fターム (130件)：

5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048DA25 , 5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110AA18 , 5F110AA28 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110EE44 , 5F110FF04 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL05 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110PP03 , 5F110PP22 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F152AA01 , 5F152AA07 , 5F152AA13 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC05 , 5F152CC06 , 5F152CC07 , 5F152CC08 , 5F152CD12 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD16 , 5F152CE03 , 5F152CE04 , 5F152CE06 , 5F152CE07 , 5F152CE08 , 5F152CE24 , 5F152CE41 , 5F152EE02 , 5F152EE14 , 5F152EE16 , 5F152FF03 , 5F152FF04 , 5F152FF05 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF28 , 5F152FG01 , 5F152FG04 , 5F152FG08 , 5F152FG19 , 5F152FG23 , 5F152FH01 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152MM04 , 5F152MM19 , 5F152NN03 , 5F152NN07 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NP11 , 5F152NP12 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ02 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06 , 5F152NQ12 , 5F152NQ17

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体基板及び半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-147939 出願人：株式会社デンソー
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-024838 出願人：石川島播磨重工業株式会社

審査官引用 (8件)

半導体基板及び半導体基板の製造方法並びに半導体基板製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-099989 出願人：株式会社デンソー
半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-110250 出願人：シャープ株式会社
剥離方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-036668 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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