特許
J-GLOBAL ID：201203000468939496

半導体装置

発明者：
遠藤 佑太

遠藤 佑太 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-042660
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199525
出願日： 2012年02月29日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：
【課題】トランジスタのサイズを縮小しつつ、良好なスイッチング特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】一対の第1の突起と、一対の第1の突起の間に設けられる第2の突起とを有するゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接して、且つ一対の第1の突起および第2の突起に重畳する半導体膜と、半導体膜と接して、且つ一対の第1の突起と重畳する一対の電極と、を有し、半導体膜の側端は、半導体膜のチャネル幅方向において、一対の第1の突起の頂面より外側であり、一対の電極の側端は、半導体膜のチャネル幅方向において、一対の第1の突起の頂面より外側である半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一対の第1の突起と、前記一対の第1の突起の間に設けられる第2の突起とを有するゲート電極と、 前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜と接して、且つ前記一対の第1の突起および前記第2の突起に重畳する半導体膜と、 前記半導体膜と接し、且つ前記一対の第1の突起に重畳する一対の電極と、を有し、 前記半導体膜の側端は、前記半導体膜のチャネル幅方向において、前記一対の第1の突起の頂面より外側にあり、 前記一対の電極の側端は、前記半導体膜のチャネル幅方向において、前記一対の第1の突起の頂面より外側にあることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 627C
Fターム (45件)：
5F110AA04 ,  5F110AA05 ,  5F110AA07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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