特許
J-GLOBAL ID：201003057362767863

半導体装置およびその作製方法

発明者：
大原 宏樹

大原 宏樹 について

, 
佐々木 俊成

佐々木 俊成 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-052983
公開番号（公開出願番号）：特開2010-239131
出願日： 2010年03月10日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：
【課題】酸化物半導体層を無機絶縁膜で覆うことなく加熱処理を行って酸化物半導体層が結晶化されると、結晶化による表面凹凸などが形成され、電気特性のバラツキが発生する恐れがある。【解決手段】酸化物半導体層成膜直後から酸化物半導体層上に接して酸化シリコンを含む無機絶縁膜を形成する直前までの間に1回も加熱処理を行わず、基板上の酸化物半導体層上に接して第2の絶縁膜を形成した後に加熱処理を行うプロセス順序とする。また、酸化シリコンを含む無機絶縁膜において、膜中に含まれる水素密度は、5×1020/cm3以上、または窒素密度は、1×1019/cm3以上とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に非晶質構造を有する酸化物半導体層を形成し、 前記酸化物半導体層上に接する酸化シリコンを含む無機絶縁膜を形成し、 前記酸化シリコンを含む無機絶縁膜を形成した後に、300°C以上の加熱処理を行い、 前記加熱処理は、前記酸化シリコンを含む無機絶縁膜の成膜時における基板温度よりも高く、且つ、加熱処理後の酸化物半導体層は、非晶質構造を有する半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/10
FI (5件)：
H01L29/78 627F ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/10
Fターム (82件)：
2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA35 ,  2H092KA04 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KB04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA29 ,  2H092MA35 ,  2H092NA22 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107AA07 ,  3K107AA08 ,  3K107AA09 ,  3K107BB01 ,  3K107BB03 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107FF14 ,  3K107FF17 ,  3K107GG28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ10
引用特許：
審査官引用 (7件)
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