特許

J-GLOBAL ID：201203000840621201

絶縁ゲート型デバイスの駆動回路

発明者： 岩水 守生
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (2件)： 廣瀬 一 ,  田中 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-170376
公開番号（公開出願番号）：特開2012-034079
出願日： 2010年07月29日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：

【課題】通常動作への影響(消費電流やRon)を低減しつつ、デバイスの誤オンの防止と高速ターンオフとを実現することができる絶縁ゲート型デバイスの駆動回路を提供する。【解決手段】パワーMOSFET8のゲート-ソース間にパワーMOSFET8のゲート電圧を下げるためのゲート電圧制御用MOSFET14を設け、ゲート電圧制御用MOSFET14のゲート-ドレイン間にプルアップ素子としてN型デプレッションMOSFET25を設ける。そして、N型デプレッションMOSFET25を、パワーMOSFET8のドレイン電圧Vdが急激に持ち上げられたときに発生する、パワーMOSFET8のゲート-ドレイン間の寄生容量Cgdの充電電流Irによって駆動されるように構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

外部から入力されるゲート信号に基づいて絶縁ゲート半導体素子を駆動する絶縁ゲート型デバイスの駆動回路であって、 前記絶縁ゲート半導体素子のゲート・ソース間に接続されたゲート電圧制御用半導体素子と、 前記ゲート電圧制御用半導体素子のゲート・ドレイン間に接続されたプルアップ素子と、を備え、 前記ゲート電圧制御用半導体素子は、前記絶縁ゲート半導体素子のゲート・ドレイン間に形成された寄生容量の充電電流によって駆動されることを特徴とする絶縁ゲート型デバイスの駆動回路。

IPC (4件)：

H03K 17/08 ,  H02M 1/08 ,  H02M 1/00 ,  H03K 17/687

FI (4件)：

H03K17/08 C ,  H02M1/08 A ,  H02M1/00 F ,  H03K17/687 A

Fターム (23件)：

5H740AA04 ,  5H740BA12 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740JB01 ,  5H740MM01 ,  5J055AX02 ,  5J055AX12 ,  5J055AX15 ,  5J055AX34 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055DX22 ,  5J055EX07 ,  5J055EY01 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ03 ,  5J055FX04 ,  5J055FX12 ,  5J055GX01 ,  5J055GX07

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平1-300617
  
• IGBTのゲート駆動回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-029557   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-136868   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 特開平1-300617
  
• 発振回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-306847   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭62-171217
  
• 電圧検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-005236   出願人：セイコーエプソン株式会社