特許
J-GLOBAL ID：201203001091458559
半導体ウェーハの薄厚化方法および貼り合せウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 来間 清志
, 寺嶋 勇太
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-177978
公開番号（公開出願番号）：特開2012-038932
出願日： 2010年08月06日
公開日（公表日）： 2012年02月23日
要約：
【課題】安価、且つ、少ない機械的ダメージでウェーハを所望の厚さに薄厚化することができ、また、金属汚染や研削粉が発生し難い半導体ウェーハの薄厚化方法、および該薄厚化方法を用いた貼り合せウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハの内部に焦点を合わせてレーザー光を照射し、多光子吸収により半導体ウェーハの内部に脆化層を形成する脆化層形成工程と、脆化層を起点として半導体ウェーハを2枚に分離して、半導体ウェーハを薄厚化する薄厚化工程とを含む半導体ウェーハの薄厚化方法である。また、半導体ウェーハの薄厚化方法を利用した貼り合せウェーハの製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの内部に焦点を合わせてレーザー光を照射し、多光子吸収により半導体ウェーハの内部に脆化層を形成する脆化層形成工程と、
前記脆化層を起点として前記半導体ウェーハを2枚に分離して、半導体ウェーハを薄厚化する薄厚化工程と、
を含むことを特徴とする、半導体ウェーハの薄厚化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/268
, H01L 27/12
H01L21/02 B
, H01L21/268 E
, H01L27/12 B
