半導体基板の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村興作 , 藤谷史朗 , 来間清志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-145599
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317867
出願日： 2006年05月25日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

【課題】従来に比して酸化膜の厚みが薄い、あるいは酸化膜を介さずにシリコン同士を直接貼り合せる、貼り合わせウェーハにおいても、ボイドまたはブリスタと呼ばれる欠陥の発生を抑制するための方途を与える。【解決手段】シリコン層を形成する活性層用ウェーハに50nm超500nm以下の厚みの酸化膜を形成した後、該活性層用ウェーハに水素イオンを注入してイオン注入層を形成し、次いで酸化膜を50nm以下の厚みに調整した後、該酸化膜を介して活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせた後、前記イオン注入層にて剥離する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

シリコン層を形成する活性層用ウェーハに50nm超500nm以下の厚みの酸化膜を形成した後、該活性層用ウェーハに水素イオンを注入してイオン注入層を形成し、次いで酸化膜を50nm以下の厚みに調整した後、該酸化膜を介して活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせた後、前記イオン注入層にて剥離することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (2件)：

H01L27/12 B , H01L21/02 B

引用特許：

出願人引用 (5件)

SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-049415 出願人：信越半導体株式会社
半導体基板及び半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-147939 出願人：株式会社デンソー
貼り合わせSOIウエーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-293565 出願人：信越半導体株式会社

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審査官引用 (4件)

半導体基板及び半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-147939 出願人：株式会社デンソー
貼り合わせSOIウエーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-293565 出願人：信越半導体株式会社
薄膜トランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-159100 出願人：三菱電機株式会社

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