特許
J-GLOBAL ID：201203002029903321

Si系合金負極電極の製造方法

発明者：
廣野 友紀

廣野 友紀 について

, 
柳本 勝

柳本 勝 について


出願人/特許権者：
山陽特殊製鋼株式会社

山陽特殊製鋼株式会社 について


代理人 (1件)： 椎名 彊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-205081
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064316
出願日： 2010年09月14日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：
【課題】本発明は、リチウムイオン2次電池やハイブリットキャパシタなど、充放電時にリチウムイオンの移動を伴う蓄電デバイスのSi系合金負極の製造方法を提供する。【解決手段】 SiとCuとの合金であるSi系合金からなる粉末を電極基板上に付着させる手段としてコールドスプレー法を用いることを特徴とするSi系合金負極電極の製造方法。上記のSi系合金がSi100-XCuX(ただし、10at.%<X<60at.%)で示されることを特徴とするSi系合金負極電極の製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
SiとCuとの合金であるSi系合金からなる粉末を電極基板上に付着させる手段としてコールドスプレー法を用いることを特徴とするSi系合金負極電極の製造方法。
IPC (3件)：
H01M 4/139 ,  H01M 4/38 ,  H01G 9/058
FI (3件)：
H01M4/02 112 ,  H01M4/38 Z ,  H01G9/00 301A
Fターム (13件)：
5E078AA01 ,  5E078AA05 ,  5E078AA14 ,  5E078AB06 ,  5E078BA26 ,  5E078BA38 ,  5E078BA69 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CB11 ,  5H050GA22 ,  5H050GA24
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM