特許
J-GLOBAL ID:201203003384511546
パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-148387
公開番号(公開出願番号):特開2012-013812
出願日: 2010年06月29日
公開日(公表日): 2012年01月19日
要約:
【課題】解像力が高く、LWRを低減でき、パターン形状に優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。【解決手段】(ア)(A)酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、(C)溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、 を含むパターン形成方法であって、 前記樹脂(A)が、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有し、 前記脱離基がケイ素原子を含有する、パターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(ア)(A)酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、(C)溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、及び
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、
前記樹脂(A)が、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有し、
前記脱離基がケイ素原子を含有する、パターン形成方法。
IPC (4件):
G03F 7/039
, G03F 7/32
, G03F 7/038
, H01L 21/027
FI (5件):
G03F7/039 601
, G03F7/32
, G03F7/038 601
, G03F7/32 501
, H01L21/30 502R
Fターム (82件):
2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096DA01
, 2H096DA10
, 2H096EA05
, 2H096FA01
, 2H096GA03
, 2H096GA17
, 2H096GA18
, 2H096HA01
, 2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF21P
, 2H125AF33P
, 2H125AF36P
, 2H125AF38P
, 2H125AF39P
, 2H125AF45P
, 2H125AF70P
, 2H125AH04
, 2H125AH09
, 2H125AH10
, 2H125AH11
, 2H125AH12
, 2H125AH14
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AH22
, 2H125AH24
, 2H125AH25
, 2H125AH29
, 2H125AJ13X
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ14Y
, 2H125AJ16Y
, 2H125AJ63X
, 2H125AJ64Y
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ66X
, 2H125AJ68X
, 2H125AJ69X
, 2H125AJ74Y
, 2H125AJ87Y
, 2H125AJ88Y
, 2H125AJ92Y
, 2H125AL01
, 2H125AL11
, 2H125AL22
, 2H125AL23
, 2H125AM12P
, 2H125AM23P
, 2H125AM30P
, 2H125AM32P
, 2H125AM43P
, 2H125AM99P
, 2H125AN08P
, 2H125AN11P
, 2H125AN31P
, 2H125AN37P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN45P
, 2H125AN54P
, 2H125AN57P
, 2H125AN62P
, 2H125AN63P
, 2H125AN65P
, 2H125AN82P
, 2H125AN86P
, 2H125AN88P
, 2H125BA01P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125BA27P
, 2H125BA32P
, 2H125BA33P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC01
, 2H125CC15
, 2H125FA03
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (10件)
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