特許
J-GLOBAL ID：201203008511688096

多孔質シリコン粒子及びその製造方法、並びにリチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池

発明者：
吉田 浩一

吉田 浩一 について

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三好 一富

三好 一富 について

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久留須 一彦

久留須 一彦 について

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谷 俊夫

谷 俊夫 について

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幡谷 耕二

幡谷 耕二 について

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西村 健

西村 健 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-202789
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084521
出願日： 2011年09月16日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を得る。【解決手段】連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、前記空孔内に、Cu、Ni、Sn、Zn、Ag、Cのいずれか1つ以上の導電性元素の単体又は合金を有することを特徴とする多孔質シリコン粒子である。前記導電性元素の単体又は合金が、前記空孔内の表面の少なくとも一部を被覆するか、前記空孔内の少なくとも一部に充填されていることが好ましい。また、このような多孔質シリコン粒子は、多孔質シリコン粒子への無電解メッキ、置換メッキ、炭素コーティングにより作製される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、 前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、 前記空孔内に、Cu、Ni、Sn、Zn、Ag、Cのいずれか1つ以上の導電性元素の単体又は合金を有する ことを特徴とする多孔質シリコン粒子。
IPC (3件)：
H01M 4/38 ,  H01M 4/36 ,  C01B 33/02
FI (4件)：
H01M4/38 Z ,  H01M4/36 C ,  H01M4/36 A ,  C01B33/02 Z
Fターム (37件)：
4G072AA01 ,  4G072BB15 ,  4G072DD02 ,  4G072DD03 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072GG01 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072KK01 ,  4G072MM26 ,  4G072MM38 ,  4G072MM40 ,  4G072TT02 ,  4G072TT08 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA16 ,  5H050CA02 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB11 ,  5H050DA09 ,  5H050DA10 ,  5H050EA02 ,  5H050EA04 ,  5H050EA08 ,  5H050FA18 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA05 ,  5H050HA09 ,  5H050HA14 ,  5H050HA20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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