特許
J-GLOBAL ID：201203054879180060
多孔質シリコン粒子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-195723
公開番号（公開出願番号）：特開2012-082125
出願日： 2011年09月08日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン電池用の負極材料に好適な多孔質シリコン粒子を得る。【解決手段】複数のシリコン微粒子3が接合してなる多孔質シリコン粒子1であって、前記多孔質シリコン粒子1の平均粒径が0.1μm〜1000μmであり、前記多孔質シリコン粒子1は連続した空隙を有する三次元網目構造を有し、前記多孔質シリコン粒子1の平均空隙率が15〜93%であり、半径方向で50%以上の表面近傍領域の空隙率Xsと、半径方向で50%以内の粒子内部領域の空隙率Xiの比であるXs/Xiが、0.5〜1.5であり、酸素を除く元素の比率でシリコンを80原子%以上含むことを特徴とする多孔質シリコン粒子1である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のシリコン微粒子が接合してなる多孔質シリコン粒子であって、
前記多孔質シリコン粒子の平均粒径が0.1μm〜1000μmであり、
前記多孔質シリコン粒子は連続した空隙を有する三次元網目構造を有し、
前記多孔質シリコン粒子の平均空隙率が15〜93%であり、
半径方向で50%以上の表面近傍領域の空隙率Xsと、半径方向で50%以内の粒子内部領域の空隙率Xiの比であるXs/Xiが、0.5〜1.5であり、
酸素を除く元素の比率でシリコンを80原子%以上含む
ことを特徴とする多孔質シリコン粒子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (30件)：
4G072AA01
, 4G072BB05
, 4G072BB15
, 4G072DD02
, 4G072DD03
, 4G072DD04
, 4G072DD05
, 4G072GG03
, 4G072NN02
, 4G072RR12
, 4G072TT01
, 4G072TT30
, 4G072UU30
, 5H050AA07
, 5H050AA08
, 5H050AA19
, 5H050BA16
, 5H050CB11
, 5H050DA03
, 5H050FA13
, 5H050FA16
, 5H050FA17
, 5H050GA02
, 5H050GA06
, 5H050GA12
, 5H050GA27
, 5H050GA29
, 5H050HA04
, 5H050HA05
, 5H050HA09
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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