磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置、メモリセルアレイ、及び磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤原康高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-040362
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178442
出願日： 2011年02月25日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：

【課題】本発明の実施形態によれば、劣化しにくく、MR変化率の大きい磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置、メモリセルアレイ、及び磁気抵抗効果素子の製造方法を提供することができる。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、第1の電極と、第1の磁性層と、第2の磁性層と、スペーサ層と、Zn、In、Sn、及びCdから選択される少なくとも一つの元素とFe、Co、及びNiから選択される少なくとも一つの元素とを含む酸化物層と、酸化物層に接して設けられ、Zn、In、Sn、及びCdから選択される少なくとも一つの元素を0.5at%以上80at%以下の濃度で含み、かつFe、Co、及びNiから選択される少なくとも一つの元素を含む金属層とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、磁化が一方向に固定され又は外部磁場に応じて変化する第1の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の電極との間に設けられ、磁化が外部磁場に応じて変化する第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられたスペーサ層と、前記第1の電極と前記第1の磁性層との間、前記第1の磁性層中、前記第1の磁性層と前記スペーサ層との間、前記スペーサ層中、前記スペーサ層と前記第2の磁性層との間、前記第2の磁性層中、又は前記第2の磁性層と前記第2の電極との間の何れかに設けられ、Zn、In、Sn、及びCdから選択される少なくとも一つの元素とFe、Co、及びNiから選択される少なくとも一つの元素とを含む酸化物層と、前記第1の電極と前記第2の電極とを結ぶ方向において前記酸化物層に接して設けられ、Zn、In、Sn、及びCdから選択される少なくとも一つの元素を5at%以上80at%以下の濃度で含み、かつFe、Co、及びNiから選択される少なくとも一つの元素を含む金属層と、を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/10 , H01L 43/08 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , G11B 5/39

FI (4件)：

H01L43/10 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11B5/39

Fターム (53件)：

4M119AA15 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC02 , 4M119DD04 , 4M119DD33 , 4M119DD37 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119EE29 , 5D034BA05 , 5D034BA09 , 5D034BA21 , 5D034CA08 , 5D034DA07 , 5F092AA02 , 5F092AA06 , 5F092AB02 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD12 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB15 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB51 , 5F092BB53 , 5F092BB90 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092BE27 , 5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (3件)

磁気抵抗効果素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-019365 出願人：株式会社東芝
CPP型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-168269 出願人：TDK株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-263251 出願人：株式会社東芝

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