特許
J-GLOBAL ID：200903026532533990
CPP型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
皿田 秀夫
, 米田 潤三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-168269
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088478
出願日： 2008年06月27日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】 スペーサー層に半導体酸化物層を用いた磁気抵抗効果素子構造において、加工プロセス上の熱や応力によって、素子の特性の変動や、経時劣化が起こり難い、新規な磁気抵抗効果素子の構造を提供する。【解決手段】 スペーサー層に用いられる半導体酸化物層が、CPP-GMR素子の側面を電気的に保護するために形成された絶縁層と接する箇所に、窒素元素を含有する界面保護層を介在させる。これによって、半導体酸化物層の界面保護層との接合表面に共有結合性の高い窒化物が形成され、半導体酸化物層から酸素の移動が抑制されて、素子特性の変動や劣化が抑制される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
スペーサー層と、
前記スペーサー層を挟むようにして積層形成される第1の強磁性層および第2の強磁性層を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造の巨大磁気抵抗効果素子(CPP-GMR素子)であって、
第1の強磁性層および第2の強磁性層は、双方の層の磁化の向きがなす角度が、外部磁界に応じて相対的に変化するように機能しており、
前記スペーサー層は、半導体酸化物層を含み、
前記スペーサー層の全部または一部を構成する半導体酸化物層が、絶縁層と接する箇所において、当該半導体酸化物層と当該絶縁層との間に、窒素元素を含有する界面保護層が介在されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/10
, H01L 43/08
, G11B 5/39
H01L43/10
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
5D034BA04
, 5D034BA12
, 5D034BA15
, 5D034BA21
, 5D034BB09
, 5D034CA04
, 5F092AA15
, 5F092AB03
, 5F092AC08
, 5F092AD03
, 5F092BB03
, 5F092BB09
, 5F092BB10
, 5F092BB15
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB31
, 5F092BB32
, 5F092BB38
, 5F092BB42
, 5F092BB53
, 5F092BB81
, 5F092BB82
, 5F092BC03
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC14
, 5F092BC18
, 5F092BE24
, 5F092BE27
, 5F092CA25
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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