フォトレジストおよびエッチング残留物をビアから除去する方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：池田成人 , 山口和弘 , 野田雅一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-516433
公開番号（公開出願番号）：特表2012-531053
出願日： 2009年08月25日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
要約：

【課題】フォトレジストを除去するための優れた方法などを提供する。【解決手段】ベール除去と同時にフォトレジストを除去する方法が提供される。この方法は、O2、NH3およびCF4などのフッ素含有ガスを含むガス化学種から形成されたプラズマを用いる。この方法は、インクジェットプリントヘッド作製などのMEMS作製プロセスでの使用に特に適している。【選択図】図18

請求項（抜粋）：

基板からフォトレジストを除去する方法であって、 O2、NH3およびフッ素含有ガスを含むガス化学種から形成されたプラズマを用いるステップ、を含む、方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , B41J 2/05 , B41J 2/16

FI (3件)：

H01L21/302 104H , B41J3/04 103B , B41J3/04 103H

Fターム (18件)：

2C057AF93 , 2C057AG04 , 2C057AG12 , 2C057AP37 , 2C057BA04 , 2C057BA13 , 5F004AA09 , 5F004BA20 , 5F004BB25 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB26 , 5F004EA38 , 5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (10件)

エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-295186 出願人：東京エレクトロン株式会社
特許第6440864号
特許第6440864号

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