特許
J-GLOBAL ID：201203012017534024

半導体デバイスおよび半導体デバイス製造方法

発明者：
岩見 正之

岩見 正之 について


出願人/特許権者：
次世代パワーデバイス技術研究組合

次世代パワーデバイス技術研究組合 について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-022087
公開番号（公開出願番号）：特開2012-164718
出願日： 2011年02月03日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：
【課題】III族窒化物半導体では、p型不純物を高濃度にイオン注入すると、結晶品質が低下してしまう。結晶品質が低下するとオフ電流が増加して、電子デバイス特性が低下する可能性がある。このため、III族窒化物半導体では、p+層を形成することが困難であった。【解決手段】III族窒化物半導体にドープされるとp型半導体になるp型不純物、および金属を有する合金からなる合金層と、合金層の下に接して形成され、III族窒化物半導体からなり、p型不純物が一部に拡散している半導体層と、合金層上に形成され、p型不純物の拡散係数が、半導体層より小さい拡散防止層と、を備える半導体デバイスを提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体にドープされるとp型半導体になるp型不純物、および金属を有する合金からなる合金層と、 前記合金層の下に接して形成され、前記III族窒化物半導体からなり、前記p型不純物が一部に拡散している半導体層と、 前記合金層上に形成され、前記p型不純物の拡散係数が、前記半導体層より小さい拡散防止層と、 を備える半導体デバイス。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/78 301B
Fターム (38件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104DD92 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA17 ,  5F140BB15 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BG28 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK29
引用特許：
審査官引用 (3件)

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