特許
J-GLOBAL ID：200903049080994162
薄膜電極、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (5件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-104946
公開番号（公開出願番号）：特開2004-336021
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】 実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。【解決手段】 発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、p型窒化ガリウム層上に積層され、Ni-X固溶体を含有する第1電極層と、前記第1電極層上に積層され、Au、Pt、Pd、Ni、Ru、Rh、Re、C、Cu、及びIrからなる群から選択される少なくとも1種以上の元素を含有する第2電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、
p型窒化ガリウム層上に積層され、Ni-X固溶体を含有する第1電極層と、
前記第1電極層上に積層され、Au、Pt、Pd、Ni、Ru、Rh、Re、C、Cu、及びIrからなる群から選択される少なくとも1種以上の元素を含有する第2電極層と、
を含むことを特徴とする、薄膜電極。
IPC (3件)：
H01L21/28
, H01L33/00
, H01S5/042
H01L21/28 301B
, H01L33/00 E
, H01S5/042 614
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB30
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104DD34
, 4M104DD35
, 4M104DD37
, 4M104DD52
, 4M104DD79
, 4M104DD80
, 4M104FF13
, 4M104GG04
, 4M104HH15
, 5F041AA24
, 5F041CA34
, 5F041CA83
, 5F041CA84
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F173AF75
, 5F173AK02
, 5F173AK05
, 5F173AK08
, 5F173AK13
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (16件)
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