特許
J-GLOBAL ID：200903049080994162

薄膜電極、及びその製造方法

発明者：
宗 俊 午

宗 俊 午 について

, 
林 東 ▲せき▼

林 東 ▲せき▼ について

, 
成 泰 ▲れん▼

成 泰 ▲れん▼ について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について

, 
光州科學技術院

光州科學技術院 について


代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-104946
公開番号（公開出願番号）：特開2004-336021
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】 実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。【解決手段】 発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、p型窒化ガリウム層上に積層され、Ni-X固溶体を含有する第1電極層と、前記第1電極層上に積層され、Au、Pt、Pd、Ni、Ru、Rh、Re、C、Cu、及びIrからなる群から選択される少なくとも1種以上の元素を含有する第2電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、 p型窒化ガリウム層上に積層され、Ni-X固溶体を含有する第1電極層と、 前記第1電極層上に積層され、Au、Pt、Pd、Ni、Ru、Rh、Re、C、Cu、及びIrからなる群から選択される少なくとも1種以上の元素を含有する第2電極層と、 を含むことを特徴とする、薄膜電極。
IPC (3件)：
H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01S5/042
FI (3件)：
H01L21/28 301B ,  H01L33/00 E ,  H01S5/042 614
Fターム (31件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041AA24 ,  5F041CA34 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F173AF75 ,  5F173AK02 ,  5F173AK05 ,  5F173AK08 ,  5F173AK13
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (16件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM