特許
J-GLOBAL ID：201203012433361686

半導体装置およびその製造方法

発明者：
眞壁 勇夫

眞壁 勇夫 について

, 
由比 圭一

由比 圭一 について

, 
中田 健

中田 健 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-171914
公開番号（公開出願番号）：特開2012-033703
出願日： 2010年07月30日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】シリコン基板上にバッファ層を介して形成されるGaN層を高品質にすることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、シリコン基板10上に設けられ、GaNよりもバンドギャップが大きいバッファ層16と、バッファ層16上に設けられた第1のGaN層18と、第1のGaN層18の上面に接して設けられた第2のGaN層20と、を有し、第1のGaN層18に含まれる炭素の濃度は、第2のGaN層20に含まれる炭素の濃度に比べて高い半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に設けられ、GaNよりもバンドギャップが大きいバッファ層と、 前記バッファ層上に設けられた第1のGaN層と、 前記第1のGaN層の上面に接して設けられた第2のGaN層と、を有し、 前記第1のGaN層に含まれる炭素の濃度は、前記第2のGaN層に含まれる炭素の濃度に比べて高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
Fターム (31件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F045DA59 ,  5F045DA63 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL14 ,  5F102GL15 ,  5F102GL17 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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