特許
J-GLOBAL ID：200903054548150858

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
吉川 俊英

吉川 俊英 について

, 
今西 健治

今西 健治 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-332284
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147663
出願日： 2004年11月16日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 特性変動が極めて小さく経時劣化の少ない信頼性の高い化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 GaN層4は、電子走行層として機能するものであり、少なくともその一部において、フォト・ルミネッセンス測定により、500nm〜600nm帯の発光強度(A)とGaNバンド端の発光強度(B)との比(A/B)が0.2以下の値を示すように形成されている。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
トランジスタ構造を有する化合物半導体装置であって、 基板と、 前記基板上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成されたAlGaNを含む電子供給層と を有し、 前記バッファ層は、AlNを含む第1のバッファ層と、GaNを含む第2のバッファ層と、前記第1のバッファ層と前記第2のバッファ層との間に設けられたAlGaNを含む第3のバッファ層とが積層形成されてなることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (24件)：
5F045AA05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB14 ,  5F045CA07 ,  5F102FA08 ,  5F102FA09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-274926   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (8件)
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