特許

J-GLOBAL ID：201203013331149565

半導体ウエハの洗浄方法

発明者： 高橋 正好 ,  浅野 俊之 ,  石川 洋明
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  茨城県
代理人 (3件)： 辻田 幸史 ,  清水 善廣 ,  阿部 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-235055
公開番号（公開出願番号）：特開2012-089679
出願日： 2010年10月20日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：

【課題】 少ないアンモニアの使用量で半導体ウエハを効果的に洗浄する方法を提供すること。【解決手段】 電気伝導度が1μS/cm以下である純水にアンモニアを添加してその濃度を0.005〜0.5%としたアンモニア水中において生成させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において10〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、空気および/または不活性気体を含有する微小気泡を含むアンモニア水を、半導体ウエハの表面に接触させて行うことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電気伝導度が1μS/cm以下である純水にアンモニアを添加してその濃度を0.005〜0.5%としたアンモニア水中において生成させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において10〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、空気および/または不活性気体を含有する微小気泡を含むアンモニア水を、半導体ウエハの表面に接触させて行う半導体ウエハの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B08B 3/08

FI (2件)：

H01L21/304 647Z ,  B08B3/08 Z

Fターム (25件)：

3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201BB01 ,  3B201BB21 ,  3B201BB38 ,  3B201BB92 ,  3B201BB98 ,  3B201BB99 ,  5F157AA42 ,  5F157AA66 ,  5F157AA72 ,  5F157AC01 ,  5F157BB01 ,  5F157BB11 ,  5F157BB79 ,  5F157BC05 ,  5F157BC13 ,  5F157BC16 ,  5F157BD22 ,  5F157BE12 ,  5F157BE33 ,  5F157CF56 ,  5F157DB03 ,  5F157DB18 ,  5F157DB41

引用特許：

出願人引用 (3件)

• シリコンウェハのウェット処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-241474   出願人：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト
• 電子材料用洗浄液および洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-277936   出願人：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト
• 半導体ウェーハを湿式化学的処理する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-293975   出願人：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト

審査官引用 (1件)

• シリコンウェハのウェット処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-241474   出願人：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト