特許
J-GLOBAL ID:200903001943716961
半導体ウェーハを湿式化学的処理する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (8件):
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, 杉本 博司
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-293975
公開番号(公開出願番号):特開2009-141347
出願日: 2008年11月18日
公開日(公表日): 2009年06月25日
要約:
【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。【解決手段】a)半導体ウェーハを回転させ;b)100μmまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ;c)回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し;d)液状被膜を除去する。【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送(拡散)は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。【選択図】なし
請求項(抜粋):
半導体ウェーハを湿式化学的処理する方法において、a)半導体ウェーハを回転させ;b)100μmまたはそれ以下の直径を有する気泡を含有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ;c)回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し;d)液状被膜を除去することを特徴とする、半導体を湿式化学的処理する方法。
IPC (1件):
FI (6件):
H01L21/304 643A
, H01L21/304 643C
, H01L21/304 645B
, H01L21/304 647A
, H01L21/304 647Z
, H01L21/304 647B
Fターム (54件):
5F157AA22
, 5F157AA28
, 5F157AA29
, 5F157AA42
, 5F157AA46
, 5F157AA73
, 5F157AA77
, 5F157AB02
, 5F157AB33
, 5F157AB90
, 5F157AC01
, 5F157AC25
, 5F157BB22
, 5F157BB37
, 5F157BB66
, 5F157BB73
, 5F157BB79
, 5F157BC13
, 5F157BC53
, 5F157BC54
, 5F157BD02
, 5F157BD25
, 5F157BD33
, 5F157BD35
, 5F157BD36
, 5F157BE12
, 5F157BE23
, 5F157BE33
, 5F157BE35
, 5F157BE43
, 5F157BE44
, 5F157BE46
, 5F157BE66
, 5F157BF03
, 5F157BF22
, 5F157BF23
, 5F157BF38
, 5F157BF39
, 5F157BG02
, 5F157BG03
, 5F157BG04
, 5F157BG05
, 5F157BG24
, 5F157BG27
, 5F157BG39
, 5F157BH21
, 5F157CE05
, 5F157CE07
, 5F157CE10
, 5F157CE32
, 5F157CE37
, 5F157DB11
, 5F157DB17
, 5F157DB43
引用特許:
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